[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：

单元串，包括连接到位线的多个存储单元；以及

页缓冲器，经由感测节点连接到位线并经由位线连接到单元串，其中：

页缓冲器包括用于存储位线设定信息的第一锁存器和用于存储强制信息的第二锁存器，位线设定信息指示所述多个存储单元之中的被选择的存储单元的阈值电压电平是否大于验证电平，

第一锁存器被构造为通过连接到感测节点将位线设定信息输出到感测节点，第二锁存器被构造为通过连接到感测节点独立于第一锁存器将强制信息输出到感测节点，

页缓冲器还包括位于第一锁存器与感测节点之间的第一开关和位于第二锁存器与感测节点之间的第二开关，第一开关控制第一锁存器和感测节点之间的连接，第二开关控制第二锁存器和感测节点之间的连接。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，第二锁存器不执行第一锁存器的转储操作。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

位线设定信息基于验证电平在将要进行编程的单元与将要被禁止的单元之间进行区分，

强制信息基于强制电平在将要进行编程的单元之中区分将要被强制的单元。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，页缓冲器被构造为：

基于位线设定信息和强制信息将编程电压施加到将要进行编程的单元，并将禁止电压施加到将要被禁止的单元，所述将要进行编程的单元不是将要被强制的单元，

将具有高于编程电压的电压电平且低于禁止电压的电压电平的电压电平的强制电压施加到将要被强制的单元。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

页缓冲器被构造为在对所述多个存储单元进行编程操作期间执行位线设定操作和强制操作，

第一开关被构造为在位线设定操作期间将第一锁存器连接到感测节点，

第二开关被构造为在强制操作期间将第二锁存器连接到感测节点。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置，其中：

页缓冲器被构造为在完成位线设定操作之后执行强制操作，

第一开关被构造为在完成位线设定操作时将第一锁存器与感测节点断开，

第二开关被构造为在第一锁存器和感测节点断开之后将第二锁存器连接到感测节点。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

页缓冲器具有连接到多条位线的屏蔽位线结构，

所述多条位线包括对其执行位线设定操作的设定位线以及不对其执行位线设定操作的屏蔽位线。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，屏蔽位线被构造为防止设定位线受相邻位线的耦合的影响，同时在对设定位线进行强制操作期间保持禁止状态。

9.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，当执行强制操作时，连接到将要进行编程的单元而不是将要被强制的单元的设定位线被浮置。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

页缓冲器被构造为对单元阵列执行包括位线设定操作和强制操作的编程操作，

第一锁存器被构造为在执行位线设定操作时向感测节点输出位线设定信息，

第二锁存器被构造为在执行强制操作时向感测节点输出强制信息。