[发明专利]一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710547799.X | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107293517B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 李海旭;曹占锋;姚琪;汪建国;薛大鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 包含 导电 图案 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可以使绝缘层的上表面不因绝缘层覆盖第一导电图案而凹凸不平。一种包含导电图案的基板的制备方法,包括:在承载层上形成金属薄膜,并在所述金属薄膜上经涂胶、曝光、显影以形成光刻胶图案;对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入,以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层;去除所述光刻胶图案;对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理,以使金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成绝缘层,所述金属薄膜中被所述阻挡层遮挡的部分为第一导电图案。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
在制备阵列基板时,其制备过程一般为在衬底上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极。
具体的,首先在衬底上形成栅极,与此同时形成栅线;在形成有栅极和栅线的衬底上形成栅绝缘层,由于栅极和栅线是具有一定厚度的图形,因此,导致栅绝缘层与栅极和栅线对应位置处的表面凹凸不平;后续形成有源层,同样的,有源层表面凹凸不平;进一步地,在形成有有源层的衬底上形成导电薄膜,形成导电薄膜常采用溅射的方式,而由于栅绝缘层表面存在凸起,因此,容易造成导电薄膜表面不均匀的问题,即,相较于其他位置,在爬坡位置处的导电薄膜较疏松,进而可能导致源极、漏极、数据线在爬坡位置处断线,影响阵列基板的正常使用。
发明内容
本发明的实施例提供一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置,可以使绝缘层的上表面不因绝缘层覆盖第一导电图案而凹凸不平。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种包含导电图案的基板的制备方法,包括:在承载层上形成金属薄膜,并在所述金属薄膜上经涂胶、曝光、显影以形成光刻胶图案;对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入,以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层;去除所述光刻胶图案;对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理,以使金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成绝缘层,所述金属薄膜中被所述阻挡层遮挡的部分为第一导电图案。
优选的,所述承载层的上表面为平坦的表面。
优选的,对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入,以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层,包括:对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行锗离子注入,以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层。
优选的,所述金属薄膜的材料为铝和/或由铝和钛构成的铝钛合金,其中,钛在所述铝钛合金中的质量比为0.5%~5%。
对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理,包括:对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行氧离子注入,以使得所述金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成主要由氧化铝构成的绝缘层。
第二方面,提供一种包含导电图案的基板,包括承载层、依次设置于所述承载层上的第一导电图案、阻挡层、以及绝缘层;所述阻挡层与所述第一导电图案在所述承载层上的正投影重合;所述第一导电图案、所述阻挡层、以及所述绝缘层中位于所述阻挡层上的部分的厚度和,等于所述绝缘层中其他部分的厚度;其中,所述第一导电图案的材料为金属,所述绝缘层的材料为所述金属的化合物。
优选的,所述承载层的上表面为平坦的表面。
优选的,所述第一导电图案的材料为铝和/或由铝和钛构成的铝钛合金,其中,钛在所述铝钛合金中的质量比为0.5%~5%;所述阻挡层的厚度为
优选的,所述包含导电图案的基板还包括设置于所述绝缘层上的第二导电图案,所述第二导电图案跨过所述第一导电图案的至少部分边界。
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