[发明专利]静电放电防护架构、集成电路及其核心电路的保护方法有效

专利信息
申请号: 201710549844.5 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN109216345B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 陈鸿毅;蔡青霖 申请(专利权)人: 奇景光电股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/60
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 静电 放电 防护 架构 集成电路 及其 核心 电路 保护 方法
【权利要求书】:

1.一种静电放电防护架构,该静电放电防护架构用来保护一集成电路的一核心电路免受一导电垫片所接收的一静电放电事件的伤害,该静电放电防护架构包含有:

一第一导电层,形成于该导电垫片的下方,其中该第一导电层包含一第一导电部分、一隔绝部分以及一第二导电部分,该隔绝部分是由该第一导电部分与该第二导电部分所包围,以及该第一导电部分是电连接于该导电垫片与该第二导电部分之间;

一箝制元件,用以箝制该静电放电事件;

一第一电性连接部,耦接于该第一导电层的该第一导电部分与该箝制元件之间;以及

一第二电性连接部,耦接于该第一导电层的该第二导电部分与该核心电路之间。

2.如权利要求1所述的静电放电防护架构,另包含:

至少一第二导电层,形成于该导电垫片的下方,其中该至少一第二导电层是电连接于该导电垫片与该箝制元件之间;

其中该第一导电层为形成于该至少一第二导电层的上方的一顶导电层。

3.如权利要求1所述的静电放电防护架构,另包含:

至少一第二导电层,形成于该导电垫片的下方,其中该至少一第二导电层是电连接于该导电垫片与该箝制元件之间;

其中该第一导电层的厚度大于该至少一第二导电层之中各个第二导电层的厚度。

4.如权利要求1所述的静电放电防护架构,其中当该静电放电事件发生时,该第一导电层会利用该第一导电部分接收因应该静电放电事件所产生的一静电放电电流;以及在该静电放电电流经由该第二导电部分与该第二电性连接部流入该核心电路之前,该第一电性连接部会将该静电放电电流导引至该箝制元件。

5.如权利要求1所述的静电放电防护架构,其中该隔绝部分为该第一导电层的一开口。

6.如权利要求1所述的静电放电防护架构,其中该箝制元件包含一二极管。

7.一种集成电路,包含:

一导电垫片;

一核心电路;以及

一静电放电防护架构,耦接于该导电垫片与该核心电路,用以保护该核心电路免受该导电垫片所接收的一静电放电事件的伤害,其中该静电放电防护架构包含有:

一第一导电层,形成于该导电垫片的下方,其中该第一导电层包含一第一导电部分、一隔绝部分以及一第二导电部分,该隔绝部分是由该第一导电部分与该第二导电部分所包围,以及该第一导电部分是电连接于该导电垫片与该第二导电部分之间;

一箝制元件,用以箝制该静电放电事件;一第一电性连接部,耦接于该第一导电层的该第一导电部分与该箝制元件之间;以及

一第二电性连接部,耦接于该第一导电层的该第二导电部分与该核心电路之间。

8.如权利要求7所述的集成电路,其中该静电放电防护架构另包含:

至少一第二导电层,形成于该导电垫片的下方,其中该至少一第二导电层是电连接于该导电垫片与该箝制元件之间;

其中该第一导电层为形成于该至少一第二导电层的上方的一顶导电层。

9.如权利要求7所述的集成电路,其中该静电放电防护架构另包含:

至少一第二导电层,形成于该导电垫片的下方,其中该至少一第二导电层是电连接于该导电垫片与该箝制元件之间;

其中该第一导电层的厚度大于该至少一第二导电层之中各个第二导电层的厚度。

10.如权利要求7所述的集成电路,其中当该静电放电事件发生时,该第一导电层会利用该第一导电部分接收因应该静电放电事件所产生的一静电放电电流;以及在该静电放电电流经由该第二导电部分与该第二电性连接部流入该核心电路之前,该第一电性连接部会将该静电放电电流导引至该箝制元件。

11.如权利要求7所述的集成电路,其中该隔绝部分为该第一导电层的一开口。

12.如权利要求7所述的集成电路,其中该箝制元件包含一二极管。

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