[发明专利]一种阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

一基板，所述基板包括多个开关组件；其中，所述开关组件包括：

栅电极，形成在所述基板上表面；

栅极绝缘层，形成在所述栅电极和基板上表面，覆盖所述栅电极；

半导体层，形成在所述栅极绝缘层上表面，且位于所述栅电极上方，所述半导体层由硅锗氧化物形成，所述半导体层形成有沟道部；

源电极，形成在所述栅极绝缘层和半导体层表面，且位于所述沟道部一侧；

漏电极，形成在所述栅极绝缘层和半导体层表面，且位于所述沟道部另一侧。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括掺杂层和有源层；

所述掺杂层位于所述半导体层顶部，且被所述沟道部隔开，形成两部分，与所述漏电极相邻的部分和与所述源电极相邻的部分；

所述有源层位于所述半导体层底部，所述掺杂层位于所述有源层上表面。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层；

所述第二掺杂层位于所述半导体层顶部，所述第一掺杂层位于所述半导体层底部，且位于所述第二掺杂层和有源层之间；

所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

保护层，形成在源电极和漏电极上表面，覆盖所述源电极和漏电极，且所述保护层位于所述沟道部上方；

导电层，形成在所述保护层上表面，且由所述沟道部隔开。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层是氧化物导电体层。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层是金属层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层由氮化硅形成。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层是氧化物绝缘膜形成。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括：

一基板，所述基板包括多个开关组件；其中，所述开关组件包括：

栅电极，形成在所述基板上表面；

栅极绝缘层，形成在所述栅电极和基板上表面，覆盖所述栅电极；

半导体层，形成在所述栅极绝缘层上表面，且位于所述栅电极上方，所述半导体层由硅锗氧化物形成，所述半导体层形成有沟道部；

源电极，形成在所述栅极绝缘层和半导体层表面，且位于所述沟道部一侧；

漏电极，形成在所述栅极绝缘层和半导体层表面，且位于所述沟道部另一侧；

保护层，形成在源电极和漏电极上表面，覆盖所述源电极和漏电极，且所述保护层位于所述沟道部上方；

导电层，形成在所述保护层上表面，且由所述沟道部隔开；

其中，所述半导体层包括掺杂层和有源层；所述掺杂层位于所述半导体层顶部，且被所述沟道部隔开，形成两部分，与所述漏电极相邻的部分和与所述源电极相邻的部分；所述有源层位于所述半导体层底部，所述掺杂层位于所述有源层上表面；所述掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层；所述第二掺杂层位于所述半导体层顶部，所述第一掺杂层位于所述半导体层底部，且位于所述第二掺杂层和有源层之间；所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的阵列基板；还包括：

多个像素单元，设置于阵列基板的显示区域；

控制单元，与像素单元耦合；

彩膜基板，与阵列基板相向设置。