[发明专利]一种阵列基板和显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(Backlight Module)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。液晶面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。

在现有的TFT基板形成在一基板上有半导体层，一般为n型半导体形成，比如：非晶硅或多晶硅。其中，多晶硅的电子移动率比非晶硅的电子移动率高。但是，随着对显示面板要求的提高，多晶硅的电子移动率已不能显示装置的需求。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种显示面板，旨在设置半导体层满足显示装置的需求。

为解决上述问题，本发明的实施例提供了一种阵列基板，所述显示面板包括：

一基板，所述基板包括多个开关组件；其中，所述开关组件包括：

栅电极，形成在所述基板上表面；

栅极绝缘层，形成在所述栅电极和基板上表面，覆盖所述栅电极；

半导体层，形成在所述栅极绝缘层上表面，且位于所述栅电极上方，所述半导体层由硅锗氧化物形成，所述半导体层形成有沟道部；

源电极，形成在所述栅极绝缘层和半导体层表面，且位于所述沟道部一侧；

漏电极，形成在所述栅极绝缘层和半导体层表面，且位于所述沟道部另一侧。

进一步的，所述半导体层包括掺杂层；

所述掺杂层位于所述半导体层顶部，且被所述沟道部隔开，形成两部分，与所述漏电极相邻的部分和与所述源电极相邻的部分；

所述有源层位于所述半导体层底部，所述掺杂层位于所述有源层上表面。

进一步的，所述掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层；

所述第二掺杂层位于所述半导体层顶部，所述第一掺杂层位于所述半导体层底部，且位于所述第二掺杂层和有源层之间；

所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度。

进一步的，所述显示面板还包括：

保护层，形成在源电极和漏电极上表面，覆盖所述源电极和漏电极，且所述保护层位于所述沟道部上方。

进一步的，所述显示面板还包括：

导电层，形成在所述保护层上表面，且由所述沟道部隔开。

进一步的，所述导电层是氧化物导电体层。

进一步的，所述导电层是金属层。

进一步的，所述基板为玻璃基板。

进一步的，所述栅极绝缘层由氮化硅形成。

进一步的，所述栅极绝缘层是氧化物绝缘膜形成。

TFT基板的半导体层一般采用非晶硅或多晶硅，其中，非晶硅的电子移动率为0.5至0.8cm²/V.s，多晶硅的电子移动率比非晶硅略高，但是其电子移动率不高，不能满足现有显示装置的需求。

作为本发明的另一方面，本发明还公开了一种显示面板，所述显示面板包括本发明所述的阵列基板；还包括：

多个像素单元，对应设置于阵列基板的显示区域；

控制单元，与像素单元耦合；

彩膜基板，与阵列基板平行相向设置。

进一步的，所述阵列基板还包括

数据线，与多个像素单元耦合，控制像素单元的显示灰阶；

扫描线，与多个像素单元耦合，控制像素单元导通；

数据驱动电路，与数据线耦合；

扫描驱动电路，与扫描线耦合。

作为本发明的另一方面，本发明还公开了一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括：