[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：

多根字线，在第1方向积层；

半导体层，贯穿所述多根字线而在所述第1方向延伸；

源极线，电连接于所述半导体层；及

晶体管，与所述多根字线一起配置于所述第1方向，并包含栅极电极、以及位于其两侧的源极区域及漏极区域；

第4接触体，贯穿所述源极线及所述多根字线而在所述第1方向延伸，并电连接于所述源极区域及漏极区域的一者；

第5接触体，贯穿所述多根字线而在所述第1方向延伸，并电连接于所述源极线；及

第3配线，将所述第4接触体与所述第5接触体电连接；且

所述源极线位于所述晶体管与所述多根字线之间，并电连接于所述源极区域及漏极区域的一者；

所述多根字线位于所述第3配线与所述源极线之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还具有设置于所述晶体管与所述源极线之间的第1配线，且

所述源极线经由所述第1配线而电连接于所述源极区域及漏极区域的一者。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还包含电连接于所述源极线的端部，并在所述第1方向延伸的第3接触体，且

所述源极线的所述端部与所述多根字线的端部一起呈阶梯状而设置。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第4接触体位于所述晶体管与所述第3配线层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第4接触体及所述第5接触体包含金属。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还包含设置于所述源极线与所述晶体管之间，并电连接于所述源极区域及漏极区域的一者、以及所述第4接触体的第4配线，且

所述第5接触体位于所述第3配线与所述第4配线之间。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还包含电连接于所述半导体层的位线，且

所述多根字线位于所述源极线与所述位线之间，

所述第3配线属于与所述位线相同的配线层。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还包含：

第6接触体，贯穿所述源极线及所述多根字线而在所述第1方向延伸，并电连接于所述源极区域及漏极区域的另一者；及

第5配线，电连接于所述第6接触体；且

所述多根字线位于所述第5配线与所述源极线之间。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第5配线向所述源极线供给特定电位。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

还包含电连接于所述源极线的端部，并在所述第1方向延伸的第7接触体，且所述源极线的所述端部与所述多根字线的端部一起呈阶梯状而设置。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述源极线是与所述第1方向交叉的板状的导体。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述源极线包含金属或导电性的多晶硅。