[发明专利]一种半导体器件统计模型的建模方法及装置有效

专利信息
申请号: 201710550239.X 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN107480331B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 卜建辉;李莹;赵博华;罗家俊;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F30/3323 分类号: G06F30/3323;G06F30/367
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 统计 模型 建模 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体器件统计模型的建模方法,其特征在于,所述方法包括:

将所述半导体器件统计模型的子模块化分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模块;

建立所述半导体器件的电路模型;

基于预设的排列规则,对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列,形成所述半导体器件统计模型;其中,

所述基于预设的排列规则,对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列,包括:

基于预设的排列规则,将所述工艺角模块、所述全局波动模块设置在所述电路模型运行初始标识或运行结束标识的外部,使得所述工艺角模块及所述全局波动模块在所述电路模型的外部运行;

基于预设的排列规则,将所述局波动模块设置在所述电路模型的运行初始标识及运行结束标识之间,使得所述局部波动模块在所述电路模型内部运行。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述半导体器件统计模型后,包括:

接收所述工艺角模块的第一控制参数、所述全局波动模块的第二控制参数、所述局部波动模块的第三控制参数及统计参数;所述第一控制参数、所述第二控制参数、所述第三控制参数及所述统计参数是根据所述半导体器件的特性确定的。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述统计参数包括:所述全局波动模块的第一高斯分布参数及所述局部波动模块的第二高斯分布参数。

4.一种半导体器件统计模型的建模装置,其特征在于,所述装置包括:

划分单元,用于将所述半导体器件统计模型的子模块分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模块;

建立单元,用于建立所述半导体器件的电路模型;

排列单元,用于基于预设的排列规则,对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列,形成所述半导体器件统计模型;其中,

所述排列单元具体用于:

基于预设的排列规则,将所述工艺角模块、所述全局波动模块设置在所述电路模型运行初始标识或运行结束标识的外部,使得所述工艺角模块及所述全局波动模块在所述电路模型的外部运行;

将所述局波动模块设置在所述电路模型的运行初始标识及运行结束标识之间,使得所述局部波动模块在所述电路模型内部运行。

5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:接收单元,用于接收所述工艺角模块的第一控制参数、所述全局波动模块的第二控制参数、所述局部波动模块的第三控制参数及统计参数;所述第一控制参数、所述第二控制参数、所述第三控制参数及所述统计参数是根据所述半导体器件的特性确定的。

6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述统计参数包括:所述全局波动模块的第一高斯分布参数及所述局部波动模块的第二高斯分布参数。

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