[发明专利]一种半导体器件统计模型的建模方法及装置有效

专利信息
申请号: 201710550239.X 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN107480331B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 卜建辉;李莹;赵博华;罗家俊;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F30/3323 分类号: G06F30/3323;G06F30/367
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 统计 模型 建模 方法 装置
【说明书】:

发明提供了一种半导体器件统计模型的建模方法及装置,所述方法包括:将所述半导体器件统计模型的子模块化分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模;建立所述半导体器件的电路模型;基于预设的排列规则,对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列,形成所述半导体器件统计模型;如此,在建立半导体器件统计模型时,结合了工艺角模块,考虑到了工艺角对半导体器件性能的影响,因此建立的半导体器件工艺模型对工艺波动对器件性能的影响进行分析时,分析精度更高,进而可以提高半导体器件的精度。

技术领域

本发明属于半导体器件建模技术领域,尤其涉及一种半导体器件统计模型的建模方法及装置。

背景技术

随着集成电路技术的发展和越来越广泛的应用,集成电路设计时必须考虑其高可靠性、高性能、低成本的要求。

集成电路制造工艺中各个步骤都存在着不同程度的工艺波动,工艺波动会导致器件包括阈值电压及饱和电流等在内的性能发生波动,从而对产品良率产生影响。器件特征尺寸越小,这种波动对器件和电路的影响越大。

工艺波动对器件性能的影响可以通过器件的统计模型来表征,现有技术中的统计模型在对工艺波动对器件性能的影响进行统计时,该统计模型与工艺角模型进行结合时存在一定的困难,进而导致该模型对工艺波动对器件性能的影响进行分析时,分析精度不高。

发明内容

针对现有技术存在的问题,本发明实施例提供了一种半导体器件统计模型的建模方法及装置,用于解决现有技术中利用器件统计模型来分析工艺波动对器件性能的影响时,由于该统计模型与工艺角模型进行结合时存在一定的困难,进而导致该模型对工艺波动对器件性能的影响进行分析时,分析精度不高的技术问题。

本发明提供一种半导体器件统计模型的建模方法,所述方法包括:

将所述半导体器件统计模型的子模块化分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模块;

建立所述半导体器件的电路模型;

基于预设的排列规则,对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列,形成所述半导体器件统计模型。

上述方案中,所述基于预设的排列规则,对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列,包括:

基于预设的排列规则,将所述工艺角模块、所述全局波动模块设置在所述电路模型运行初始标识或运行结束标识的外部,使得所述工艺角模块及所述全局波动模块在所述电路模型的外部运行。

上述方案中,所述基于预设的排列规则,对所述工艺角模块、所述全局波动模块及所述局部波动模块及所述电路模型进行排列,还包括:

基于预设的排列规则,将所述局波动模块设置在所述电路模型的运行初始标识及运行结束标识之间,使得所述局部波动模块在所述电路模型内部运行。

上述方案中,形成所述半导体器件统计模型后,包括:

接收所述工艺角模块的第一控制参数、所述全局波动模块的第二控制参数、所述局部波动模块的第三控制参数及统计参数;所述第一控制参数、所述第二控制参数、所述第三控制参数及所述统计参数是根据所述半导体器件的特性确定的。

上述方案中,所述统计参数包括:所述全局波动模块的第一高斯分布参数及所述局部波动模块的第二高斯分布参数。

本发明还提供一种半导体器件统计模型的建模装置,所述装置包括:

划分单元,用于将所述半导体器件统计模型的子模块分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模块;

建立单元,用于建立所述半导体器件的电路模型;

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