[发明专利]晶圆的平坦化方法有效
| 申请号： | 201710552553.1 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107369618B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴建荣;李儒兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦 方法 | ||
1.一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述晶圆包括衬底和氧化层；所述衬底中形成有沟槽，所述氧化层覆盖所述衬底并填充所述沟槽，在研磨垫上对所述晶圆进行研磨，以平坦化所述晶圆，所述晶圆的平坦化方法包括：
使用氧化铈研磨液对所述晶圆进行研磨；
增加所述晶圆表面的PH值；
使用去离子水对所述晶圆进行研磨；
增加所述晶圆表面PH值的方法包括在所述研磨垫上流碱性溶液或将所述晶圆浸泡在碱性溶液中，所述碱性溶液为二氧化硅研磨液。
2.如权利要求1所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，使用氧化铈研磨液对所述晶圆进行研磨之前，所述晶圆的平坦化方法还包括：使用氧化硅研磨液对所述晶圆进行研磨。
3.如权利要求1所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，在所述研磨垫上流碱性溶液的时间为10s-20s。
4.如权利要求1所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，在所述研磨垫上流碱性溶液的流量为150ml/min-250ml/min。
5.如权利要求1所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述衬底的材料为硅。
6.如权利要求1所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述氧化层的材料为二氧化硅。
7.如权利要求1所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述晶圆还包括阻挡层，所述阻挡层覆盖所述衬底。
8.如权利要求7所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述晶圆还包括位于所述衬底和所述阻挡层之间的介质层。
9.如权利要求8所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述介质层的厚度为90埃-150埃。
10.如权利要求8所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅。
11.如权利要求7所述的一种晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
