[发明专利]晶圆的平坦化方法

说明书

本发明提供了一种晶圆的平坦化方法，所述晶圆上包括衬底和氧化层，所述衬底上形成有沟槽，所述氧化层覆盖所述衬底并填充所述沟槽，使用氧化铈研磨液对所述晶圆进行研磨，可以有效的克服凹陷的缺陷，具有更好的片内平整度和更小的蝶形化程度。并且晶圆表面的擦痕小，有利于平坦化；增加所述晶圆表面的PH值，能够有效的减少氧化铈颗粒的附着性，使晶圆表面附着的氧化铈颗粒减少，有利于后续对晶圆的清洗；使用去离子水对所述晶圆进行研磨，冲洗掉晶圆表面附着的氧化铈颗粒以及其他的杂质。整个工艺流程非常简单，并且，后续对晶圆的检测也更加准确，提高了芯片的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的平坦化方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，平坦化工艺是不可缺少的工艺步骤之一，其能力直接影响晶圆表面的平坦度，进而会影响产品的良率。

浅槽隔离(STI)是一种前端工艺，用来在硅片表面的器件之间形成隔离区，STI中的填充氧化层是用平坦化技术磨去比阻挡层高的所有氧化层，从而实现平坦化。STI平坦化的一个困难是如何避免沟槽中的氧化物减薄太多，或产生凹陷。凹陷现象会对器件造成很多负面效应，如门电压降低，漏电增加等等。现有技术中，为了解决STI平坦化中凹陷的缺陷，在STI平坦化工艺中普遍开始使用氧化铈研磨液，其颗粒尺寸非常均匀，具有比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止等特殊的研磨特性。但氧化铈研磨颗粒的吸附性比较大，容易残留在硅片表面，不利于后续对硅片的清洗，增加了工艺的复杂度。并且，硅片上残留的颗粒也会使硅片的检测产生误差，影响芯片的良率。

所以，有必要开发一种既能减少氧化铈颗粒附着在硅片表面的晶圆的平坦化方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆的平坦化方法，以解决晶圆在使用氧化铈研磨液研磨以平坦化的过程中，氧化铈研磨颗粒容易残留在硅片表面上的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆的平坦化方法，所述晶圆包括衬底和氧化层；所述衬底中形成有沟槽，所述氧化层覆盖所述衬底并填充所述沟槽，在研磨垫上对所述晶圆进行研磨，以平坦化所述晶圆，所述晶圆的平坦化方法包括：使用氧化铈研磨液对所述晶圆进行研磨；增加所述晶圆表面的PH值；使用去离子水对所述晶圆进行研磨；

可选的，使用氧化铈研磨液对所述晶圆进行研磨之前，所述晶圆的平坦化方法还包括：使用氧化硅研磨液对所述晶圆进行研磨；

可选的，增加所述晶圆表面PH值的方法包括在所述研磨垫上流碱性溶液。

可选的，在所述研磨垫上流碱性溶液的时间为10s-20s；

可选的，在所述研磨垫上流碱性溶液的流量为150ml/min-250ml/min；

可选的，增加所述晶圆表面PH值的方法包括将所述晶圆浸泡在碱性溶液中；

可选的，所述碱性溶液为二氧化硅研磨液；

可选的，所述衬底的材料为硅；

可选的，所述氧化层的材料为二氧化硅；

可选的，所述晶圆还包括阻挡层，所述阻挡层覆盖所述衬底；

可选的，所述晶圆还包括位于所述衬底和所述阻挡层之间的介质层；

可选的，所述介质层的厚度为90埃-150埃；

可选的，所述介质层的材料为氧化硅；

可选的，所述阻挡层的材料为氮化硅。