[发明专利]闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法

权利要求书

1.一种闪存单元，其特征在于，所述闪存单元包括：

P型衬底，所述P型衬底内形成有N阱，所述N阱中形成有P型掺杂区，所述P型掺杂区作为源极和漏极并构成P沟道，所述N阱的P型掺杂区上形成有第一位线和第二位线，所述源极与所述第一位线连接，所述漏极与所述第二位线连接；

位于所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位、第二存储位和字线栅，所述第一存储位包括第一控制栅和第一浮栅，所述第二存储位包括第二控制栅和第二浮栅；

所述第一存储位、所述字线栅和所述第二存储位依次并排排列在所述源极和所述漏极之间；

所述闪存单元利用所述P沟道中的空穴与硅晶格发生碰撞产生高能电子进入所述第一浮栅及第二浮栅进行编程，利用所述第一浮栅及第二浮栅中的电子向所述字线栅中进行增强型FN隧穿进行擦除。

2.如权利要求1所述的闪存单元，其特征在于，所述第一浮栅位于所述第一控制栅和所述N阱之间，所述第二浮栅位于所述第二控制栅和所述N阱之间。

3.如权利要求1所述的闪存单元，其特征在于，所述第一存储位和所述第二存储位对称分布于所述字线栅两侧。

4.如权利要求1所述的闪存单元，其特征在于，所述第一控制栅和所述第二控制栅对称分布于所述字线栅两侧。

5.如权利要求1所述的闪存单元，其特征在于，所述第一浮栅和所述第二浮栅对称分布于所述字线栅两侧。

6.如权利要求1所述的闪存单元，其特征在于，所述源极和所述漏极关于所述栅极结构的中心对称。

7.一种如权利要求1～6中任一项所述的闪存单元的编程方法，其特征在于，所述闪存单元的编程方法包括：

对所述第一存储位编程时，在所述第一控制栅上施加第一电压，在所述第二控制栅上施加第二电压，在所述第一位线上施加零电压，在所述第二位线上施加第三电压，在所述字线栅上施加第四电压，在所述N阱上施加第五电压；

对所述第二存储位编程时，在所述第一控制栅上施加第二电压，在所述第二控制栅上施加第一电压，在所述第一位线上施加第三电压，在所述第二位线上施加零电压，在所述字线栅上施加第四电压，在所述N阱上施加第五电压。

8.如权利要求7所述的闪存单元的编程方法，其特征在于，所述第一电压的范围为4V至10V。

9.如权利要求7所述的闪存单元的编程方法，其特征在于，所述第二电压的范围为1V至3V。

10.如权利要求7所述的闪存单元的编程方法，其特征在于，所述第三电压的范围为5V至10V。

11.如权利要求7所述的闪存单元的编程方法，其特征在于，所述第四电压的范围为1V至4V。

12.如权利要求7所述的闪存单元的编程方法，其特征在于，所述第五电压的范围为5V至10V。

13.一种如权利要求1～6中任一项所述的闪存单元的擦除方法，其特征在于，所述闪存单元的擦除方法包括：

在所述字线栅上施加正电压，在所述第一控制栅和所述第二控制栅上同时施加负电压。

14.如权利要求13所述的闪存单元的擦除方法，其特征在于，在所述字线栅上施加正电压的范围为4V至14V。

15.如权利要求13所述的闪存单元的擦除方法，其特征在于，在所述第一控制栅和所述第二控制栅上施加负电压的范围为-9V至0V。