[发明专利]多晶硅自对准沟道的制备方法在审
| 申请号： | 201710554326.2 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107527955A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李士颜;黄润华;陈允峰;陈刚;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 对准 沟道 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅自对准沟道的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
(1)在碳化硅外延层(1)上生长缓冲层(2)；
(2)在缓冲层(2)上生长多晶硅层(3)；
(3)在多晶硅层(3)上沉积介质层(4)；
(4)通过光刻P阱或N阱图形，然后刻蚀介质层(4)、多晶硅层(3)和缓冲层(2)，形成P阱或N阱的注入窗口；
(5)由介质层(4)、多晶硅层(3)和缓冲层(2)作为注入掩膜，通过多次高能离子注入工艺，形成P阱或N阱区域(5)；
(6)去除表面介质层(4)；
(7)高温氧化多晶硅层(3)和缓冲层(2)，形成氧化层(6)；
(8)通过多次高能离子注入工艺，形成N+或P+源区域(7)；两次注入掩膜宽度差即沟道。
2.根据权利要求1所述的多晶硅自对准沟道的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，缓冲层(2)为非晶硅、退火后非晶硅、二氧化硅或氮化硅，厚度为20-100nm。
3.根据权利要求1所述的多晶硅自对准沟道的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，介质层(4)为二氧化硅或氮化硅，厚度为200-1000nm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅自对准沟道的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中，单独采用氧化后的多晶硅作为掩膜。
5.根据权利要求1所述的多晶硅自对准沟道的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中，氧化时间不同实现不同宽度沟道的制备。
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