[发明专利]显示面板及其制作方法、显示设备在审
申请号: | 201710556199.X | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN107331670A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 王质武 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 设备 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括薄膜晶体管,设于所述薄膜晶体管上并与所述薄膜晶体管电连接的微型发光二极管,所述微型发光二极管包括P型半导体、与所述P型半导体相对设置的N型半导体、设于所述P型半导体与所述N型半导体之间的发光层,所述N型半导体设于所述P型半导体背向所述薄膜晶体管的一侧,所述N型半导体的厚度大于所述P型半导体,所述N型半导体背向所述P型半导体的一面为粗糙面。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括钝化层及有机层,所述有机层层叠于所述薄膜晶体管上,且所述有机层上设有开口槽,所述微型发光二极管收容所述开口槽内并与所述薄膜晶体管电连接;所述钝化层层叠并覆盖所述有机层及所述微型发光二极管。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述钝化层为有机或无机绝缘膜层。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第一电极及第二电极,所述第一电极层叠于所述薄膜晶体管上并位于所述有机层的开口槽位置,所述薄膜晶体管包括源漏极,所述第一电极一端与所述源漏极连接,另一端与所述P型半导体进行电连接;所述第二电极层叠于所述钝化层上方,且所述第二电极的一端通过穿过所述钝化层与所述N型半导体进行电连接。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述P型半导体朝向所述第一电极的一面层叠有透明导电层,所述第一电极通过所述透明导电层与所述P型半导体进行电连接。
6.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述N型半导体背向所述P型半导体的一侧设有N型金属电极,所述第二电极通过所述N型金属电极与所述N型半导体进行电连接。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述N型半导体的厚度大于2μm,所述P型半导体的厚度小于200nm。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供一形成有薄膜晶体管及有机层的基板,所述有机层层叠于所述薄膜晶体管上,在所述有机层上形成开口槽;
在所述开口槽内设一微型发光二极管,并将所述微型发光二极管与所述薄膜晶体管电连接,所述微型发光二极管包括P型半导体、与所述P型半导体相对设置的N型半导体及设于所述P型半导体与所述N型半导体之间的发光层,所述N型半导体设于所述P型半导体背向所述薄膜晶体管一侧,且所述N型半导体的厚度大于所述P型半导体;
通过等离子体表面处理工艺处理所述N型半导体背向所述P型半导体的一面,使所述N型半导体背向所述P型半导体的一面粗化;
在所述有机层及所述微型发光二极管上形成钝化层;
在所述钝化层上形成第二电极,且所述第二电极的一端与所述N型半导体电连接。
9.如权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述等离子体表面处理工艺中的形成等离子体的气体为H2、Ar、N2或NH3中任意一种或几种。
10.一种显示设备,其特征在于,包括显示设备本体及如权利要求1-7任一项的所述显示面板,所述显示面板与所述显示设备本体电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的