[发明专利]显示面板及其制作方法、显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法，以及一种显示设备。

背景技术

微型发光二极管(Micro LED)的耗电量仅为液晶显示屏(LCD)的十分之一。Micro LED与有机发光二极管(OLED)一样属于自发光器件，具有低功耗、厚度小、质量小、体积小、功耗低、反应快的特点，且不具有OLED色衰的缺点，因此成为面板行业研究的热点。

现有技术中，Micro LED芯片与薄膜晶体管(TFT)电连接时，一般N型半导体靠近TFT，P型半导体设于N型半导体背向TFT的一侧。由于光从设于所述P型半导体及所述N型半导体之间的发光层射出，并进入P型半导体层进行出射。但是，P型半导体的出光面为光面时，由于全反射会导致部分光线重新进入发光层转化为热量，导致出光效率降低。因此，为了增加出光，现有技术中对P型半导体层进行粗化处理，以减少光的全反射，增加出光效率。但是由于P型半导体层相对薄，厚度在200nm以内，粗化会导致P型半导体材料的晶体质量下降，从而使得所述Micro LED芯片的漏电流增加。

发明内容

本发明的提供一种显示面板，在增加出光效率的同时，减少所述Micro LED芯片的漏电流的产生。

所述显示面板包括薄膜晶体管，设于所述薄膜晶体管上并与所述薄膜晶体管电连接的微型发光二极管，所述微型发光二极管包括P型半导体、与所述P型半导体相对设置的N型半导体、设于所述P型半导体与所述N型半导体之间的发光层，所述N型半导体设于所述P型半导体背向所述薄膜晶体管的一侧，所述N型半导体的厚度大于所述P型半导体，所述N型半导体背向所述P型半导体的一面为粗糙面。

其中，所述显示面板还包括钝化层及有机层，所述有机层层叠于所述薄膜晶体管上，且所述有机层上设有开口槽，所述微型发光二极管收容所述开口槽内并与所述薄膜晶体管电连接；所述钝化层层叠并覆盖所述有机层及所述微型发光二极管。

其中，所述钝化层为有机或无机绝缘膜层。

其中，所述显示面板还包括第一电极及第二电极，所述第一电极层叠于所述薄膜晶体管上并位于所述有机层的开口槽位置，所述薄膜晶体管包括源漏极，所述第一电极一端与所述源漏极连接，另一端与所述P型半导体进行电连接；所述第二电极层叠于所述钝化层上方，且所述第二电极的一端通过穿过所述钝化层与所述N型半导体进行电连接。

其中，所述P型半导体朝向所述第一电极的一面层叠有透明导电层，所述第一电极通过所述透明导电层与所述P型半导体进行电连接。

其中，所述N型半导体背向所述P型半导体的一侧设有N型金属电极，所述第二电极通过所述N型金属电极与所述N型半导体进行电连接。

其中，所述N型半导体的厚度大于2μm，所述P型半导体的厚度小于200nm。

本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括步骤：

提供一形成有薄膜晶体管及有机层的基板，所述有机层层叠于所述薄膜晶体管上，在所述有机层上形成开口槽；

在所述开口槽内设一微型发光二极管，并将所述微型发光二极管与所述薄膜晶体管电连接，所述微型发光二极管包括P型半导体、与所述P型半导体相对设置的N型半导体及设于所述P型半导体与所述N型半导体之间的发光层，所述N型半导体设于所述P型半导体背向所述薄膜晶体管一侧，且所述N型半导体的厚度大于所述P型半导体；

通过等离子体表面处理工艺处理所述N型半导体背向所述P型半导体的一面，使所述N型半导体背向所述P型半导体的一面粗化；

在所述有机层及所述微型发光二极管上形成钝化层；

在所述钝化层上形成第二电极，且所述第二电极的一端与所述N型半导体电连接。

其中，所述等离子体表面处理工艺中的形成等离子体的气体为H₂、Ar、N₂或NH₃中任意一种或几种。

本发明还提供一种显示设备，包括显示设备本体及上述的显示面板，所述显示面板与所述显示设备本体电连接。本发明提供的所述显示面板，在所述Micro LED芯片与薄膜晶体管(TFT)电连接时，使所述P型半导体靠近TFT，N型半导体设于P型半导体背向TFT的一侧，并对所述N型半导体背向所述P型半导体的一面处理为粗糙面。由于所述N型半导体的厚度大于所述P型半导体的厚度，因此，对所述N型半导体进行粗化时，不会影响所述N型半导体材料的晶体质量，进而实现了增加出光效率的同时，避免所述Micro LED芯片的漏电流的产生。

附图说明