[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供器件衬底，所述器件衬底包括终端区，在所述终端区的所述器件衬底的正面形成有层间介电层；

形成若干间隔设置的第一场板，以覆盖所述终端区的部分所述器件衬底表面以及部分所述层间介电层；

在所述第一场板的至少一侧壁上形成位于所述层间介电层之上的间隙壁，其中，所述间隙壁的侧面与所述侧面外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角为钝角；

在形成所述间隙壁之后，还包括以下步骤：

形成键合层，以覆盖所述第一场板、所述层间介电层以及所述间隙壁；

提供支撑衬底，将所述键合层和所述支撑衬底相接合；

对所述器件衬底的背面进行减薄；

进行解键合，以使所述器件衬底和所述支撑衬底分离，并去除所述键合层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述侧壁与所述侧壁外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角小于或者等于90度。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述层间介电层之前，还包括以下步骤：

在所述终端区的部分所述器件衬底的表面形成若干间隔的场氧；

在所述终端区的每个所述场氧上形成第二场板，其中，每个所述第二场板的一端覆盖相邻场氧之间的部分所述器件衬底的表面，另一端覆盖部分所述场氧的表面。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述器件衬底还包括元胞区，所述终端区环绕所述元胞区，在所述终端区的所述器件衬底中形成有至少一个场限环，所述场限环环绕所述元胞区，其中，在每个所述场限环的两侧各设置有所述场氧。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成所述层间介电层之后形成所述第一场板之前，还包括以下步骤：

在所述层间介电层中形成若干第一开口和若干第二开口，其中，每个所述第一开口露出一个场限环的所述器件衬底的部分表面，每个所述第二开口露出一个所述第二场板的部分表面。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在每个所述第二场板上方形成有一个所述第一场板，所述第二场板和所述第一场板部分重叠，所述第一场板覆盖部分所述层间介电层并填充所述第一开口和所述第二开口，以实现所述第二场板与所述第一场板电连接。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述间隙壁的方法包括以下步骤：

形成间隙壁材料层，以覆盖所述第一场板和所述层间介电层；

去除所述间隙壁材料层位于所述第一场板表面上和部分所述层间介电层表面上的间隙壁材料层，以形成所述间隙壁。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为IGBT器件。

9.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一场板的材料包括金属，所述第二场板的材料包括多晶硅。

10.一种应用如权利要求1-9任一项所述的半导体器件的制造方法制造的半导体器件，其特征在于，包括：

器件衬底，所述器件衬底包括终端区，在所述终端区的所述器件衬底上形成有层间介电层；

若干间隔设置的第一场板，所述第一场板覆盖在所述终端区的部分所述器件衬底表面上以及部分所述层间介电层上；

在所述第一场板的至少一侧壁上形成有位于所述层间介电层之上的间隙壁，其中，所述间隙壁的侧面与所述侧面外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角为钝角。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述侧壁与所述侧壁外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角小于或者等于90度。