[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供器件衬底，所述器件衬底包括终端区，在所述终端区的所述器件衬底的正面形成有层间介电层；形成若干间隔设置的第一场板，以覆盖所述终端区的部分所述器件衬底表面以及部分所述层间介电层；在所述第一场板的至少一侧壁上形成位于所述层间介电层之上的间隙壁，其中，所述间隙壁的侧面与所述侧面外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角为钝角。本发明的方法增加了器件衬底临时解键合的工艺窗口，从而确保减薄后的器件衬底临时解键合工艺顺利进行。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

由于绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)器件性能的要求，需要在晶圆(wafer)减薄之后进行清洗、注入、退火和金属化等工艺。针对600V～1200V IGBT器件，晶圆减薄厚度为60um～120um。如此薄的晶圆无法进行常规的清洗、注入、退火和金属化等工艺。

目前主流工艺是采用临时键合和解键合工艺来实现IGBT的背面工艺。在晶圆完成减薄前，在正常晶圆的正面涂布一层键合胶，然后和一片玻璃载片临时键合在一起。对临时键合的晶圆进行减薄工艺，减薄后的晶圆和玻璃的厚度之和，保持和常规晶圆厚度(725um)一致。从而，后续的清洗、注入、退火和金属化等工艺处理可以顺利进行。晶圆完成所有背面工艺后，进行临时解键合，将薄片晶圆和玻璃分离开来，同时需要将晶圆正面涂布的键合胶剥离。但是，由于晶圆很薄，晶圆正面的键合胶剥离工艺，极易带来碎片风险。

因此，如何确保晶圆正面的键合胶剥离，一直是IGBT背面加工工艺的核心和难点。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明一方面提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供器件衬底，所述器件衬底包括终端区，在所述终端区的所述器件衬底的正面形成有层间介电层；

形成若干间隔设置的第一场板，以覆盖所述终端区的部分所述器件衬底表面以及部分所述层间介电层；

在所述第一场板的至少一侧壁上形成位于所述层间介电层之上的间隙壁，其中，所述间隙壁的侧面与所述侧面外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角为钝角。

示例性地，所述侧壁与所述侧壁外侧的所述层间介电层的表面之间的夹角小于或者等于90度。

示例性地，在形成所述层间介电层之前，还包括以下步骤：

在所述终端区的部分所述器件衬底的表面形成若干间隔的场氧；

在所述终端区的每个所述场氧上形成第二场板，其中，每个所述第二场板的一端覆盖相邻场氧之间的部分所述器件衬底的表面，另一端覆盖部分所述场氧的表面。

示例性地，所述器件衬底还包括元胞区，所述终端区环绕所述元胞区，在所述终端区的所述器件衬底中形成有至少一个场限环，所述场限环环绕所述元胞区，其中，在每个所述场限环的两侧各设置有所述场氧。

示例性地，形成所述层间介电层之后形成所述第一场板之前，还包括以下步骤：

在所述层间介电层中形成若干第一开口和若干第二开口，其中，每个所述第一开口露出一个所述场限环的所述器件衬底的部分表面，每个所述第二开口露出一个所述第二场板的部分表面。