[发明专利]具有栅极接触的集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，该方法包括：

将第一介电层内的源/漏接触的高度从衬底上方的初始高度降低至降低的高度，该降低的高度小于栅极堆叠的栅极导体的该衬底上方的高度，该栅极堆叠与该介电层内的该栅极导体相邻，其中，该源/漏接触的该初始高度大于该栅极导体的该高度；以及

在该源/漏接触上方而未与其接触形成上导体，该上导体接触该栅极导体。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述降低该源/漏接触的该高度包括：

凹入该第一介电层内的该源/漏接触的一部分，以在该源/漏接触的该凹入部分上方的该第一介电层中形成第一开口；以及

在该第一开口内的该源/漏接触的该凹入部分上方形成绝缘层，其中，该绝缘层将该源/漏接触与该上导体电性隔离。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成该绝缘层包括在该第一开口内的该源/漏接触的该凹入部分上方形成低k介电层。

4.如权利要求2所述的方法，其中，凹入该源/漏接触的该部分包括凹入该源/漏接触的该部分以使该源/漏接触的该部分保持于源/漏区上方的该第一介电层内，其中，该源/漏接触的该初始高度与该第一介电层的上表面基本共面。

5.如权利要求2所述的方法，其中，形成该上导体包括：

在所述形成该绝缘层以后，在该第一介电层及该绝缘层上方形成第二介电层；

在该绝缘层上方的该第二介电层内形成第二开口以暴露该绝缘层；以及

在暴露的该绝缘层上方的该第二开口内形成该上导体。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：

在所述形成该绝缘层以后且在所述形成该第二介电层之前，将该绝缘层平坦化至该第一介电层的顶部表面。

7.如权利要求5所述的方法，其中，形成该第二开口包括暴露该栅极堆叠内的该栅极导体的顶部表面。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

形成至该源/漏接触的未凹入部分的接触，该源/漏接触的该未凹入部分位于浅沟槽隔离(STI)区上方。

9.一种形成集成电路结构的方法，该方法包括：

将一组源/漏接触中的一个或多个源/漏接触的高度从衬底上方的初始高度降低至降低的高度，该降低的高度小于一组栅极堆叠的栅极堆叠内的栅极导体的该衬底上方的高度，该组源/漏接触中的该一个或多个源/漏接触在第一介电层内与该组栅极堆叠的该栅极堆叠相邻，其中，该一个或多个源/漏接触的该初始高度大于该栅极导体的该高度；以及

在该组源/漏接触上方而未与其接触形成上导体，该上导体接触各栅极导体。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述降低该一个或多个源/漏接触的该高度包括：

凹入该第一介电层内的该一个或多个源/漏接触的一部分，以在该一个或多个源/漏接触的该凹入部分上方的该第一介电层中形成第一开口；以及

在该第一开口内的该一个或多个源/漏接触的该凹入部分上方形成绝缘层，其中，该绝缘层将该一个或多个源/漏接触与该上导体电性隔离。

11.如权利要求10所述的方法，其中，形成该绝缘层包括在该第一开口内的该一个或多个源/漏接触的该凹入部分上方形成低k介电层。

12.如权利要求10所述的方法，其中，凹入该一个或多个源/漏接触的该部分包括凹入该一个或多个源/漏接触的该部分以使该一个或多个源/漏接触的该部分保持于源/漏区上方的该第一介电层内，其中，该组源/漏接触中的该一个或多个源/漏接触的该初始高度与该第一介电层的上表面基本共面。