[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201710559938.0 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108962828B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张铭宏;褚伯韬;王升平;郭建利;陈仲诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
衬底，被III-V族化合物半导体层上覆，所述衬底包括电路区及密封环区，所述密封环区环绕所述电路区；以及
密封环结构，设置在所述密封环区中，
其中所述密封环结构包括环绕所述电路区的第一通孔结构，所述第一通孔结构延伸穿过所述衬底的一部分及所述III-V族化合物半导体层，所述第一通孔结构进一步延伸穿过介电层，所述介电层上覆在III-V族化合物半导体层上，所述密封环结构还包括壁结构，所述壁结构环绕所述电路区，且被所述第一通孔结构环绕，所述壁结构包括至少一第二通孔结构、耦合到所述至少一第二通孔结构的金属化层、耦合到所述金属化层的导电插塞结构及钝化层，所述至少一第二通孔结构及所述金属化层设置在所述介电层内，所述导电插塞结构设置在所述介电层上方，且所述钝化层上覆在所述导电插塞结构、所述金属化层及所述第二通孔结构上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一第二通孔结构及所述金属化层分别由以下至少一种元素形成：铝、铝合金、铜、铜合金、或其组合。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述III-V族化合物半导体层包括至少一氮化镓层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一通孔结构包含模塑材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括设置在所述电路区中的一个或多个有源电路组件，所述一个或多个有源电路组件分别是氮化镓基装置的一部分。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述一个或多个有源电路组件形成于所述III-V族化合物半导体层中。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述III-V族化合物半导体层包括多个子层，所述多个子层分别由以下元素中的至少一种元素形成：铟、镓、磷、砷及氮化物。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括所述密封环区环绕的划线区。
9.一种半导体装置，其特征在于，包括：
衬底，被III-V族化合物半导体层上覆，且进一步被介电层上覆，所述衬底包括电路区及密封环区，所述密封环区环绕所述电路区；以及
密封环结构，设置在所述密封环区中，
其中所述密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构以及壁结构，其中所述第一通孔结构延伸穿过所述衬底的一部分、所述III-V族化合物半导体层及所述介电层，且其中所述壁结构包括至少一第二通孔结构、耦合到所述至少一第二通孔结构的金属化层、耦合到所述金属化层的导电插塞结构及钝化层，所述至少一第二通孔结构及所述金属化层设置在所述介电层内，所述导电插塞结构设置在所述介电层上方，且所述钝化层上覆在所述导电插塞结构、所述金属化层及所述至少一第二通孔结构上。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述III-V族化合物半导体层包括至少一氮化镓层。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一通孔结构包含模塑材料。
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，还包括设置在所述电路区中的一个或多个有源电路组件，所述一个或多个有源电路组件分别是氮化镓基装置的一部分。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述一个或多个有源电路组件形成于所述III-V族化合物半导体层中。
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