[发明专利]一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法在审

专利信息
申请号: 201710561577.3 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN107287639A 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 严民;陈宇峰 申请(专利权)人: 新疆金泰新材料技术有限公司
主分类号: C25D11/12 分类号: C25D11/12;H01G9/055
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 谭新民
地址: 835000 新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 比容 高折曲 漏电 电极 化成 方法
【权利要求书】:

1.一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,包括铝箔的一级化成、二级化成、三级化成、四级化成和五级化成,其中,铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行,二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行,三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行,四级化成和五级化成均在含有硼酸和五硼酸铵的水溶液中进行。

2.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,所述一级化成的具体工艺为:将经过预处理的铝箔浸入含有1-2wt%的壬二酸和2-5wt%的壬二酸铵的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、120V条件下化成6min。

3.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,所述二级化成的具体工艺为:将一级化成后的铝箔浸入含有1-2wt%的壬二酸、1.5-3wt%的壬二酸铵和1-3wt%硼酸的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、250V条件下化成6min。

4.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,所述三级化成的具体工艺为:将二级化成后的铝箔浸入含有1-3wt%的柠檬酸、1.5-3wt%的壬二酸铵和1-3wt%硼酸的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、400V条件下化成6min。

5.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,所述四级化成的具体工艺为:将铝箔浸入含有3-5wt%的硼酸和4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、550V条件下化成6min。

6.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,所述五级化成的具体工艺为:将四级化成后的铝箔浸入添加了5-6wt%的硼酸、2-4wt%的五硼酸铵的水溶液中,在75-79.5℃、8-10mA/cm2、520V的条件下,化成12min。

7.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,在铝箔的三级化成完成后,将铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电,然后再进行四级化成和五级化成。

8.根据权利要求2所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,铝箔预处理的具体工艺为:将经过腐蚀的、纯度为99.99wt%的铝箔置于温度为97-98℃的纯水中处理9-12min,然后将铝箔在1-5wt%的富马酸水溶液进行去极化处理,富马酸水溶液温度为83-85℃。

9.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,五级化成完成后,将铝箔依次进行高温焙烧、修复化成、化学处理、再次修复化成和烘干工艺。

10.根据权利要求9所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,其特征在于,高温焙烧、修复化成、化学处理和再次修复化成工艺具体为:将铝箔置于空气中,500℃高温焙烧2min,再置于含有6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中修复化成;然后在70-85℃、6wt%磷酸水溶液中化学处理6-12min,再置于含有6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中,在85-88℃、1-2mA/cm2、520v的条件下,再次修复化成3min。

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