[发明专利]一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法在审

专利信息
申请号: 201710561577.3 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN107287639A 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 严民;陈宇峰 申请(专利权)人: 新疆金泰新材料技术有限公司
主分类号: C25D11/12 分类号: C25D11/12;H01G9/055
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 谭新民
地址: 835000 新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 比容 高折曲 漏电 电极 化成 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于电极箔生产领域,具体涉及一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法。

背景技术

目前现有的中高压铝电解电容器用的电极箔的制造方法是这样的:将经过腐蚀的、纯度为99.99wt%的铝箔,在95-100℃的纯水中浸渍10min;取出后置于0.1wt%的壬二酸和2wt%的壬二酸铵的水溶液中,在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为200v的条件下,一级化成18min;再置于7wt%的硼酸和0.4wt%的五硼酸铵的水溶液中,在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为430v的条件下,二级化成18min;再置于7wt%的硼酸和0.3wt%的五硼酸铵的水溶液中,在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为530v的条件下,三级化成30min;取出后进行500℃的高温热处理3-4min;然后再置于7wt%的硼酸和0.3wt%的五硼酸铵的水溶液中,在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为530v的条件下,化成10-12min,最后取出,烘干。采用这种电极箔的制造方法,工艺要求电流密度大,能耗高,且生产效率低,并且通过上述制造方法制造出的电极箔的比容低、折曲强度低且漏电大。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明公开一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,利用该方法制造出的电极箔比容高、折曲强度高,并且低漏电,有效提高电极箔的品质。

本发明通过下述技术方案实现:

一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法,包括铝箔的一级化成、二级化成、三级化成、四级化成和五级化成,其中,铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行,二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行,三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行,四级化成和五级化成均在含有硼酸和五硼酸铵的水溶液中进行。

本发明采用五级化成,其中,铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行,二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行,三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行,由于壬二酸及壬二酸铵的作用,得到的电极箔具有比容高、折曲强度高,并且低漏电的优异性能,提高了电极箔的品质,同时,各级化成所需的电流密度相比于现有方法而言大大减小,且每级化成时间大大缩短,节约了大量电能,提高了电极箔的化成效率。

其中,所述一级化成的具体工艺为:将经过预处理的铝箔浸入含有1-2wt%的壬二酸和2-5wt%的壬二酸铵的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、120V条件下化成6min。

所述二级化成的具体工艺为:将一级化成后的铝箔浸入含有1-2wt%的壬二酸、1.5-3wt%的壬二酸铵和1-3wt%硼酸的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、250V条件下化成6min。

所述三级化成的具体工艺为:将二级化成后的铝箔浸入含有1-3wt%的柠檬酸、1.5-3wt%的壬二酸铵和1-3wt%硼酸的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、400V条件下化成6min。

所述四级化成的具体工艺为:将铝箔浸入含有3-5wt%的硼酸和4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中,在85-86℃、8-10mA/cm2、550V条件下化成6min。

所述五级化成的具体工艺为:将四级化成后的铝箔浸入添加了5-6wt%的硼酸、2-4wt%的五硼酸铵的水溶液中,在75-79.5℃、8-10mA/cm2、520V的条件下,化成12min。

在铝箔的三级化成完成后,将铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电,然后再进行四级化成和五级化成。

铝箔预处理的具体工艺为:将经过腐蚀的、纯度为99.99wt%的铝箔置于温度为97-98℃的纯水中处理9-12min形成一水水和氧化膜或三水水和氧化膜,然后将铝箔在1-5wt%的富马酸水溶液进行去极化处理,富马酸水溶液温度为83-85℃。

五级化成完成后,将铝箔依次进行高温焙烧、修复化成、化学处理、再次修复化成和烘干工艺。

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