[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

衬底，

第一晶体管，设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层含有具有第一晶格常数的硅，所述第一晶格常数介于至之间；以及

发光二极管，设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管，其中所述发光二极管包括二层半导体层，所述二层半导体层的任一层含有具有第二晶格常数及第三晶格常数的氮化镓，且所述第三晶格常数大于所述第二晶格常数，

其中所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.56且小于或等于0.68。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的所述比率大于或等于0.57且小于或等于0.61。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第三晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.92且小于或等于1.10。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第三晶格常数对所述第一晶格常数的所述比率大于或等于0.94且小于或等于0.99。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一半导体层的晶体比率大于50％。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一晶体管的所述第一半导体层中所含有的硅的原子百分比大于所述发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的原子百分比。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光二极管是蓝色发光二极管。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一半导体层为多晶相。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，进一步包括设置于所述衬底上的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括含有镓及氧的第二半导体层。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第二晶体管电连接至所述发光二极管。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第二晶体管的所述第二半导体层中所含有的镓的原子百分比对所述发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的原子百分比的比率大于或等于0.26且小于或等于0.55。

12.一种显示装置，其特征在于，包括：

衬底，

第一晶体管，设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括含有硅的第一半导体层；

第二晶体管，设置于所述衬底上，其中所述第二晶体管包括含有镓及氧的第二半导体层；以及

蓝色发光二极管，设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管及所述第二晶体管，其中所述蓝色发光二极管包括含有氮化镓的半导体层，

其中所述第二晶体管的所述第二半导体层中所含有的镓的原子百分比对所述蓝色发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的原子百分比的比率大于或等于0.26且小于或等于0.55，其中所述蓝色发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的原子百分比大于或等于0.40且小于或等于0.60。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第二晶体管的所述第二半导体层中所含有的镓的所述原子百分比对所述蓝色发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的所述原子百分比的所述比率大于或等于0.26且小于或等于0.50。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第二半导体层为非晶相。

15.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第二半导体层为微晶相。