[发明专利]显示装置

说明书

提供一种显示装置。所述显示装置包括衬底、第一晶体管、及发光二极管。所述第一晶体管设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层含有具有第一晶格常数的硅。所述发光二极管设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管，其中所述发光二极管包括半导体层，所述半导体层含有具有第二晶格常数及第三晶格常数的氮化镓，且所述第三晶格常数大于所述第二晶格常数。所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.56且小于或等于0.68。本发明实施例提供的显示装置能够具有更好的发光效率(light emitting efficiency)。

技术领域

本发明实施例涉及一种装置，且具体来说是涉及一种显示装置。

背景技术

由于发光二极管(light emitting diode，LED)显示设备具有例如有源发光(active light emitting)、高亮度、高对比度(contrast ratio)、及低功耗等优点，因此近年来，其已成为得到大力发展的各种新显示器技术中的一种。

发明内容

本发明实施例提供一种能够具有更好的发光效率(light emitting efficiency)的显示装置。

在一个实施例中，本发明实施例的显示装置包括衬底、第一晶体管、及发光二极管。所述第一晶体管设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层含有具有第一晶格常数的硅。所述发光二极管设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管，其中所述发光二极管包括半导体层，所述半导体层含有具有第二晶格常数及第三晶格常数的氮化镓，且所述第三晶格常数大于所述第二晶格常数。所述第二晶格常数对所述第一晶格常数的比率大于或等于0.56且小于或等于0.68。

在另一实施例中，本发明实施例的显示装置包括衬底、第一晶体管、第二晶体管、及蓝色发光二极管。所述第一晶体管设置于所述衬底上，其中所述第一晶体管包括含有硅的第一半导体层。所述第二晶体管设置于所述衬底上，其中所述第二晶体管包括含有镓及氧的第二半导体层。蓝色发光二极管设置于所述衬底上且电连接至所述第一晶体管及所述第二晶体管，其中所述蓝色发光二极管包括含有氮化镓的半导体层。所述第二晶体管的所述第二半导体层中所含有的镓的原子百分比对所述蓝色发光二极管的所述半导体层中所含有的镓的原子百分比的比率大于或等于0.26且小于或等于0.55。

为了使本发明的上述特征能更易于理解，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，将最好地理解本发明的各个实施例。应注意，根据本产业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本发明实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图2是根据本发明另一实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图3是氮化镓的晶体结构的示意图；

图4是硅的晶体结构的示意图。

附图标号说明

10、20：显示装置；

101：衬底；

102：缓冲层；

103：绝缘层/栅极绝缘层；

104、105、106、107、108、109、IL、PV：绝缘层；

120：第一电极；

130：发光二极管/蓝色发光二极管；

132、136、SL1、SL1’、SL2、SL2’、SL3、SL3’、SL4、SL4’：半导体层；