[发明专利]微纳米器件光刻加工方法

权利要求书

1.一种微纳米器件光刻加工方法，其特征在于，包括：

在第一版层模板上制作第一光刻标记，所述第一光刻标记为间隔线段式标记；具体地，在所述第一版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第一光刻标记，两个方向上的所述第一光刻标记相交；

将所述第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影，以将所述第一版层模板上的电路图形制作在所述待加工微纳米器件的样品上；

在第二版层模板上制作第二光刻标记，所述第二光刻标记为间隔线段式标记；所述第二光刻标记的线段间隔与所述第一光刻标记的线段相匹配，所述第一光刻标记的线段间隔与所述第二光刻标记的线段相匹配，所述匹配是指长度一致；具体地，在所述第二版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第二光刻标记，两个方向上的所述第二光刻标记相交；

将所述第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使所述第一光刻标记的线段位于所述第二光刻标记的线段间隔上，所述第二光刻标记的线段位于所述第一光刻标记的线段间隔上；

对贴附所述第二版层模板后的所述待加工微纳米器件的样品进行曝光显影，以将所述第二版层模板上的电路图形制作在所述待加工微纳米器件的样品上。

2.如权利要求1所述的微纳米器件光刻加工方法，其特征在于，在所述将所述第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影和所述将所述第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上之间还包括：

对制作所述第一版层模板上的电路图形后的所述待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。

3.如权利要求1所述的微纳米器件光刻加工方法，其特征在于，在所述对贴附所述第二版层模板后的所述待加工微纳米器件的样品进行曝光显影之后，还包括：

对制作所述第二版层模板上的电路图形后的所述待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。