[发明专利]微纳米器件光刻加工方法

说明书

一种微纳米器件光刻加工方法，包括：在第一版层模板上制作第一光刻标记；将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影；在第一版层模板上制作第二光刻标记；第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配；将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使第一光刻标记的线段位于第二光刻标记的线段间隔上，第二光刻标记的线段位于第一光刻标记的线段间隔上；对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影。通过这种方式，有利于光刻标记的寻找，沿着线段观测可以方便地检查整个版面的对准状态，从而减少光刻对准误差。

技术领域

本发明涉及制造加工领域，具体涉及一种微纳米器件光刻加工方法。

背景技术

光刻技术在微纳器件制造领域具有很重要的作用。现有技术中，请参考图1，在进行光刻加工时，通常采用方块或者十字等方式在加工模板上进行光刻标记，然后，将模板B上的光刻标记与模板A上的呃光刻标记对齐、对准，以此来实现对不同加工模板的电路图形对齐曝光显影。

现有技术中，光刻技术使用的对图标记经常需要在光刻设备的显微镜下边寻找很久，要求不同的版层上的光刻标记严格对齐。这些版层对准后才能使得器件的各个层之间对准。一般而言，光刻标记在对齐的过程当中，采用肉眼判断，当光刻标记出现一些角度偏差难以发现，继而造成了对准误差较大。

因此，如何减少光刻对准误差成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于如何减少光刻对准误差。

为此，根据第一方面，本发明实施例公开了一种微纳米器件光刻加工方法，包括：

在第一版层模板上制作第一光刻标记，第一光刻标记为间隔线段式标记；将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影，以将第一版层模板上的电路图形制作在待加工微纳米器件的样品上；在第一版层模板上制作第二光刻标记，第二光刻标记为间隔线段式标记；第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配；将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使第一光刻标记的线段位于第二光刻标记的线段间隔上，第二光刻标记的线段位于第一光刻标记的线段间隔上；对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影，以将第二版层模板上的电路图形制作在待加工微纳米器件的样品上。

可选地，在第一版层模板上制作第一光刻标记包括：在第一版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第一光刻标记；在第一版层模板上制作第二光刻标记包括：在第二版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第二光刻标记。

可选地，在将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影和将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上之间还包括：对制作第一版层模板上的电路图形后的待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。

可选地，在对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影之后，还包括：对制作第二版层模板上的电路图形后的待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。

本发明技术方案，具有如下优点：

本发明实施例提供的微纳米器件光刻加工方法，由于第一版层模板上的第一光刻标记为间隔线段式标记，第二版层模板上的第二光刻标记为间隔线段式标记，第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配，使得将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上时，能够通过线段和线段间隔的位置关系来确定第一版层模板和第二版层模板是否对准，通过这种方式，有利于光刻标记的寻找，沿着线段观测可以方便地检查整个版面的对准状态，从而减少光刻对准误差。

附图说明