[发明专利]一种近红外到中红外宽带增透膜及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外到中红外宽带增透膜，其特征在于：包括顺序相接的第一MgF₂层一、第一ZnS层一、第一MgF₂层二、第一ZnS层二、第一MgF₂层三、第一ZnS层三、第一YF₃层、ZnSe基底层、第二YF₃层、第二ZnS层一、第二MgF₂层一、第二ZnS层二、第二MgF₂层二、第二ZnS层三和第二MgF₂层三；从第二YF₃层到第二MgF₂层三，各层的物理厚度依次为23±2nm、75±2nm、30±2nm、27±2nm、37±2nm、20±2nm、233±2nm；从第一YF₃层到第一MgF₂层一，各层的物理厚度依次为23±2nm、75±2nm、30±2nm、27±2nm、37±2nm、20±2nm、233±2nm。

2.如权利要求1所述的近红外到中红外宽带增透膜，其特征在于：包括顺序相接的第一MgF₂层一、第一ZnS层一、第一MgF₂层二、第一ZnS层二、第一MgF₂层三、第一ZnS层三、第一MgF₂层四、第一ZnS层四、第一YF₃层、ZnSe基底层、第二YF₃层、第二ZnS层一、第二MgF₂层一、第二ZnS层二、第二MgF₂层二、第二ZnS层三、第二MgF₂层三、第二ZnS层四和第二MgF₂层四；从第二YF₃层到第二MgF₂层四，各层的物理厚度依次为23nm、75nm、30nm、27nm、37nm、20nm、233nm、18nm和250nm；从第一YF₃层到第一MgF₂层一，各层的物理厚度依次为23nm、75nm、30nm、27nm、37nm、20nm、233nm、18nm和250nm。

3.如权利要求1或2所述的近红外到中红外宽带增透膜，其特征在于：透波段为1-3微米。

4.如权利要求1或2所述的近红外到中红外宽带增透膜，其特征在于：ZnSe基底层的厚度为3-20mm。

5.权利要求1-4任意一项所述的近红外到中红外宽带增透膜的制备方法，其特征在于：采用含有离子源的镀膜机在真空状态下进行镀膜，起始真空度为(1.5±0.1)×10^-3Pa，温度为130±5℃；离子源的加速电压为250±10V，屏极电压为400±10V，束流为60±5mA；YF₃的蒸发速率为0.6±0.01nm/s，锌化合物层的蒸发速率为0.25±0.01nm/s，MgF₂的蒸发速率位0.7±0.01nm/s。