[发明专利]基板加热装置以及基板加热方法有效
申请号: | 201710573158.1 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107799434B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 加藤茂;佐保田勉;山谷谦一;升芳明 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 毛立群;杨楷 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板加热装置,包括:
减压部,对涂布了溶液的基板的容纳空间的气氛进行减压;
加热部,配置在所述基板的一侧,并且能够加热所述基板;
红外线加热器,配置在所述基板的另一侧,并且能够通过红外线加热所述基板;
反射面,配置在所述加热部与所述红外线加热器之间,并且反射朝向所述加热部的所述红外线;
冷却机构,能够冷却所述加热部,
所述冷却机构包括冷媒通过部,所述冷媒通过部配置在所述加热部的内部并且能够使冷媒通过,
所述冷媒通过部包括:
多个冷却通路,所述多个冷却通路在与能够载置具有所述反射面的红外线反射部的载置面平行的一方向上延伸、并且在与所述载置面平行且与所述一方向交叉的方向上排列;
冷却歧管,在所述加热部的一端侧与另一端侧连结于所述多个冷却通路,
所述基板加热装置还包括能够选择性地加热所述冷却歧管的辅助加热部。
2.如权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于,还包括具有所述反射面的所述红外线反射部,
所述加热部包括能够载置所述红外线反射部的所述载置面。
3.如权利要求2所述的基板加热装置,其特征在于,在所述加热部与所述红外线反射部之间设置有拆装结构,能够在所述加热部拆装所述红外线反射部。
4.如权利要求3所述的基板加热装置,其特征在于,所述拆装结构包括:
突出部,从所述载置面突出;
插入部,形成于所述红外线反射部,并且供所述突出部插入。
5.如权利要求4所述的基板加热装置,其特征在于,所述突出部包括:第一凸部;第二凸部,在所述载置面的面内远离所述第一凸部,
所述插入部包括:第一凹部,供所述第一凸部插入;第二凹部,供所述第二凸部插入,至少容许所述红外线反射部在连接第一凸部与所述第二凸部的方向上膨胀或者收缩。
6.如权利要求2~5中的任一项所述的基板加热装置,其特征在于,所述载置面包括在所述载置面的面内划分的多个载置区域,
所述红外线反射部包括对应所述多个载置区域的每个而分割成的多个红外线反射板。
7.如权利要求6所述的基板加热装置,其特征在于,相邻的2个所述红外线反射板隔开间隔地配置。
8.如权利要求1~5中的任一项所述的基板加热装置,其特征在于,在所述反射面设置有能够支承所述基板的多个基板支承凸部。
9.如权利要求1~5中的任一项所述的基板加热装置,其特征在于,所述多个冷却通路包括:第一冷却通路,使所述冷媒从所述加热部的一端侧向另一端侧通过;第二冷却通路,使所述冷媒从所述加热部的另一端侧向一端侧通过。
10.如权利要求9所述的基板加热装置,其特征在于,所述第一冷却通路与所述第二冷却通路在与所述载置面平行且与所述一方向交叉的方向上交替地配置。
11.如权利要求1~5中的任一项所述的基板加热装置,其特征在于,还包括能够容纳所述基板、所述加热部以及所述红外线加热器的腔。
12.如权利要求11所述的基板加热装置,其特征在于,所述基板、所述加热部以及所述红外线加热器被容纳于共用的所述腔。
13.如权利要求1~5中的任一项所述的基板加热装置,其特征在于,所述溶液仅被涂布在所述基板的第一表面,
所述加热部被配置于与所述基板的第一表面相反的一侧即第二表面的一侧。
14.如权利要求1~5中的任一项所述的基板加热装置,其特征在于,所述加热部以及所述红外线加热器中的至少一方能够阶段性地加热所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造