[发明专利]基板加热装置以及基板加热方法有效
申请号: | 201710573158.1 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107799434B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 加藤茂;佐保田勉;山谷谦一;升芳明 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 毛立群;杨楷 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 以及 方法 | ||
本实施方式的基板加热装置,包括:减压部,对涂布了溶液的基板的容纳空间的气氛进行减压;加热部,配置在所述基板的一侧,并且能够加热所述基板;红外线加热器,配置在所述基板的另一侧,并且通过红外线能够加热所述基板;反射面,配置在所述加热部与所述红外线加热器之间,并且反射朝向所述加热部的所述红外线。
技术领域
本发明涉及基板加热装置以及基板加热方法。
背景技术
近年来,存在以下的市场需求:代替玻璃基板而使用具有柔性的树脂基板作为电子器件用的基板。这样的树脂基板例如使用聚酰亚胺膜。聚酰亚胺膜是例如在基板上涂布聚酰亚胺的前体的溶液后、经过对所述基板进行加热的工序(加热工序)而形成的。作为聚酰亚胺的前体的溶液,例如存在由聚酰胺酸与溶剂构成的聚酰胺酸清漆(例如,参照专利文献1以及专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2001-210632号公报
专利文献2:国际公开第2009/104371号
发明内容
发明要解决的技术问题
然而,上述的加热工序包括:使溶剂在较低温度下蒸发的第一工序与使聚酰胺酸在较高温度下固化的第二工序。因此,将基板的加热温度从第一工序的温度升高到第二工序的温度为止的期间需要较长时间。另一方面,在第二工序之后以较低温度进行处理或者对基板进行降温的情况下,存在使对基板进行加热的加热部降温的情况。但是,因为加热部的降温时间与基板的加热温度成正比,从而需要较长时间,所以如何缩短加热部的降温所需的节拍时间就成为了课题。
鉴于以上那样的情况,本发明的目的在于提供一种基板加热装置以及基板加热方法,能够缩短加热部的降温所需的节拍时间。
用于解决上述技术问题的方案
本发明的一方案的基板加热装置,其特征在于,包括:减压部,对涂布了溶液的基板的容纳空间的气氛进行减压;加热部,配置在所述基板的一侧,并且能够加热所述基板;红外线加热器,配置在所述基板的另一侧,并且能够通过红外线加热所述基板;反射面,配置在所述加热部与所述红外线加热器之间,并且反射朝向所述加热部的所述红外线。
因为根据该构成,通过包括配置在加热部与红外线加热器之间并且反射朝向加热部的红外线的反射面,能够避免红外线在加热部被吸收,所以能够抑制红外线引起的加热部的升温。因此无需考虑伴随着红外线引起的加热部的升温而导致加热部的降温时间变长。因此,能够缩短加热部的降温所需的节拍时间。此外,因为通过反射面反射的红外线的至少一部分被基板吸收,所以能够促进基板的加热。另一方面,根据通过反射面反射的红外线引起的基板的温度上升量,能够降低红外线加热器的输出。然而,若是利用烤箱使热风循环从而加热基板的方式,则存在异物通过热风的循环被卷入至基板的容纳空间的可能性。相反,根据该构成,因为能够在使基板的容纳空间的气氛为减压状态下对基板进行加热,所以异物不会被卷入至基板的容纳空间,从而优选。
也可以是,在上述的基板加热装置中,还包括具有所述反射面的红外线反射部,所述加热部包括能够载置所述红外线反射部的载置面。
根据该构成,在对基板的容纳空间的气氛进行减压使其成为真空状态的情况下,能够对加热部中的载置面与红外线反射部之间进行真空隔热。即,能够将载置面与红外线反射部之间的界面中的间隙作为隔热层而起作用。因此,能够抑制红外线引起的加热部的升温。另一方面,在将氮气供给(N2驱气)至基板的容纳空间的情况下,能够解除载置面与红外线反射部之间的真空隔热。因此,能够推定加热部在降温时,红外线反射部也在降温。
也可以是,在上述的基板加热装置中,在所述加热部与所述红外线反射部之间设置有拆装结构,能够在所述加热部拆装所述红外线反射部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造