[发明专利]一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直结构AlGaInP基发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

1）在衬底的同一侧依次外延生长形成DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层、欧姆接触层，取得外延片；外延取得的粗化层的厚度为3～10μm；

2）以外延片进行清洗、制干后，在外延片的欧姆接触层表面生长形 SiO₂材料层；

3）在SiO₂材料层上通过涂胶、光刻、显影制作出光刻胶图形；

4）将外延片经过BOE蚀刻，得到供蚀刻的图形化粗化面区域；

5）对图形化粗化面区域采用湿法或干法腐蚀的方法，自SiO₂材料层向下腐蚀至粗化层；

6）将处延片置于粗化液中进行腐蚀处理；

7）去除图形化粗化面区域以外的欧姆接触层上剩余的SiO₂材料层后，在欧姆接触层上制作形成正电极；

8）对衬底进行减薄研磨，然后在衬底的背面制作背电极；

9）经裂片，得垂直结构AlGaInP基发光二极管；

其特征在于：

所述步骤5）中，在图形化粗化面区域内蚀刻出若干沟槽，且各沟槽的最大深度不大于粗化层的厚度；所述沟槽具有n个分层结构，n≥1，且沟槽的分层结构呈现台阶形貌。

2.根据权利要求1所述垂直结构AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于：经过步骤5）腐蚀后，在各剩余的SiO₂材料层外周形成环绕分布的沟槽。