[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：

导体部形成工序，在基板上形成从所述基板的表面起的高度相同的多个导体部；

包覆工序，向相邻的所述导体部的间隙导入热固性树脂组合物，以所述导体部的顶部露出的方式，利用所述热固性树脂组合物的固化物覆盖所述导体部；和

多层配线工序，不对所述固化物的表面进行研磨，而在所述固化物之上形成与所述顶部电连接的金属图案。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：

导体部形成工序，在半导体芯片之上形成多个导体部，以从支撑体到多个所述导体部的高度相同的方式，将所述半导体芯片和所述导体部配置在所述支撑体之上；

包覆工序，向在相邻的所述导体部之间存在的间隙导入热固性树脂组合物，以所述导体部的顶部露出的方式，利用所述热固性树脂组合物的固化物覆盖所述导体部；和

多层配线工序，不对所述固化物的表面进行研磨，而在所述固化物之上形成与所述顶部电连接的金属图案，

在所述包覆工序之后，还包括将所述支撑体和所述固化物分离的分离工序。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述包覆工序中，向所述导体部的间隙导入所述热固性树脂组合物时，在所述顶部形成皮层，利用化学方法将所述皮层除去。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述包覆工序中，在使所述热固性树脂组合物成为所述固化物之前，以对所述顶部进行按压的方式配置脱模膜。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述脱模膜的对所述顶部进行按压的面的算术平均表面粗糙度Ra为0μm以上1.5μm以下。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述脱模膜为氟系脱模膜。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述包覆工序中，对所述固化物的表面进行粗面化处理。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述粗面化处理的方法为药液处理或等离子体处理。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述多层配线工序之前，所述固化物的所述顶部露出的面的算术平均表面粗糙度Ra为0.02μm以上0.8μm以下。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述固化物的固化状态为C阶段的固化状态。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述多层配线工序中，在所述固化物的表面涂敷密合助剂之后，形成所述金属图案。

12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述导体部形成工序中，所述导体部包括第一导体图案和第二导体图案，

所述第一导体图案为电路，

所述第二导体图案包括金属柱。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一导体图案和所述第二导体图案由光刻法形成。

14.如权利要求1～13中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述多层配线工序中，所述金属图案由光刻法形成。

15.如权利要求1～14中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述热固性树脂组合物包含环氧树脂、固化剂和无机填充材料。

16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述无机填充材料的粒径小于80μm。

17.如权利要求15或16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述无机填充材料的平均粒径d50为0.1μm以上20μm以下。