[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，所述等离子体蚀刻方法的特征在于，包括：

选定处理气体以使得在所述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；

在所述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对所述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；

在进行了所述等离子体蚀刻装置中的所述等离子体蚀刻后，将处理后的基板搬送至单独设置的后处理装置，利用O₂气体或O₂气体和含氟气体，进行用于抑制腐蚀的后处理的步骤；和

在进行了一次或两次以上的规定次数的所述进行等离子体时刻处理的步骤和所述后处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对所述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤，

作为所述干清洁时的所述干清洁气体，使用与所述等离子体蚀刻时所使用的所述处理气体相同的气体，

所述规定的膜为Ti/Al/Ti膜，所述处理气体包含Cl₂气体，不包含氧气和含氟气体，所述反应生成物为AlCl_x。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述处理气体为Cl₂气体。

3.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述Ti/Al/Ti膜用于形成薄膜晶体管的源极和漏极。

4.一种等离子体蚀刻装置，其用于对形成于基板上的规定的膜实施等离子体蚀刻处理，所述等离子体蚀刻装置的特征在于，包括：

用于收纳基板的处理容器；

在所述处理容器内载置基板的基板载置台；

对所述处理容器内供给用于进行等离子体蚀刻的蚀刻气体和用于进行干清洁的干清洁气体的气体供给机构；

对所述处理容器内进行排气的排气机构；和

在所述处理容器内生成所述蚀刻气体和所述干清洁气体的等离子体的等离子体生成机构，

所述基板载置台包括：基材；和静电吸盘，其设置在所述基材上，具有由陶瓷喷镀膜构成的电介质层和设置在所述电介质层的内部的吸附电极，

所述干清洁气体为含氯气体，所述规定的膜为Ti/Al/Ti膜，所述蚀刻气体包含Cl₂气体，不包含氧气和含氟气体，在所述等离子体蚀刻处理中生成的反应生成物为AlCl_x，

作为所述干清洁时的所述干清洁气体，使用与所述等离子体蚀刻时所使用的所述蚀刻气体相同的气体，

所述静电吸盘的所述电介质层为喷镀氧化铝、氧化钇和硅化合物的混合物而形成的混合喷镀膜。

5.如权利要求4所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

构成所述静电吸盘的所述电介质层的混合喷镀膜中使用氧化硅或氮化硅作为硅化合物。

6.如权利要求4或5所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述静电吸盘的所述吸附电极由钨或钼构成。

7.如权利要求4或5所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述干清洁气体为Cl₂气体。