[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台

说明书

本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。

技术领域

本发明涉及等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和用于其的基板载置台。

背景技术

用于FPD(Flat Panel Display：平板显示器)的薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor)通过在玻璃基板等基板上一边对栅极或栅绝缘膜、半导体层等进行图案化一边依次层叠而形成。

在形成TFT时，例如存在对与半导体层连接的源极或漏极进行蚀刻的步骤、对栅极进行蚀刻的步骤等。源极和漏极中有时会使用Ti/Al/Ti的层叠膜等含Al金属膜，作为此时的蚀刻气体使用含氯气体，例如Cl₂气体(例如专利文献1)。另外，为了应对含氯气体所致的腐蚀，有时向利用含氯气体蚀刻后的腔室内供给O₂气体或O₂气体和CF₄气体等氟类气体进行抑制腐蚀处理。

另外，作为栅极，有时使用含Mo膜，作为此时的蚀刻气体，例如使用SF₆气体和O₂气体的混合气体(例如专利文献2)

但是，对多个基板反复进行蚀刻处理时，反应生成物附着在腔室内成为沉积物(deposit)，其被剥离形成颗粒对产品带来坏影响，所以要以规定的周期开放腔室，用酒精擦拭沉积物，或者用特殊药液洗净等，需要进行腔室清洁(湿清洁)。

另一方面，如上所述，利用Cl₂气体等含氯气体对含Al金属膜进行蚀刻后，向腔室内供给O₂气体和氟类气体时，以及利用SF₆气体和O₂气体的混合气体对含Mo膜进行蚀刻时，大量生成导致颗粒的低蒸汽压的反应生成物，它们附着在腔室内形成沉积物(deposit)，导致腔室清洁周期即维护周期变短。

因此，为了增长等离子体蚀刻装置的维护周期，研究通过供给清洁用的气体，除去附着在腔室内的反应生成物而无需开放腔室的腔室清洁(干清洁)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-173159号公报

专利文献2：日本特开201-48286号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

然而，发现了如下问题，利用干清洁无法有效除去利用如上所述的等离子体蚀刻生成的低蒸汽压的反应生成物。

而且，在基板载置台上不载置基板进行干清洁时，干清洁气体的等离子体对静电吸盘造成损伤，可能导致其寿命缩短。因此，可以考虑载置素玻璃进行干清洁，但此时导致生产性下降。

因此，本发明要解决的技术问题在于，提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法，以及即便进行干清洁也能确保静电吸盘的寿命的等离子体处理装置和用于其的基板载置台。

用于解决技术问题的技术方案