[发明专利]一种片上存储器的调试装置及方法有效
申请号: | 201710575820.7 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN109254883B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 杨婷;孙志文;古生霖 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 调试 装置 方法 | ||
1.一种片上存储器的调试装置,其特征在于,包括输入控制单元、寄存器单元、控制单元和译码单元,其中:
输入控制单元,用于接收并解析外部输入的调试控制信息,将解析后的调试控制信息存储至寄存器单元;
寄存器单元,用于存储所述解析后的调试控制信息;
控制单元,用于从所述寄存器单元获取所述解析后的调试控制信息,生成相应的调试读写信号并输出至译码单元;
译码单元,用于接收来自控制单元的调试读写信号以及外部输入的读写信号,当所述调试读写信号为真时,根据所述调试读写信号进行相应的读写操作;当所述调试读写信号为假时,根据所述外部输入的读写信号进行相应的读写操作。
2.根据权利要求1所述的调试装置,其特征在于,所述调试控制信息包括调试使能状态、读写模式、片上存储器的读写地址。
3.根据权利要求2所述的调试装置,其特征在于,所述控制单元包括:状态控制单元、读控制单元和写控制单元,其中:
状态控制单元,用于获取所述调试使能状态和所述读写模式,使能或关闭读控制单元或写控制单元,当使能读控制单元时,将所述片上存储器的所述读写地址输出至读控制单元;当使能写控制单元时,将所述片上存储器的所述读写地址输出至写控制单元;
读控制单元,用于根据所述片上存储器的所述读写地址,生成相应的调试读信号并输出至译码单元;
写控制单元,用于根据所述片上存储器的所述读写地址,生成相应的调试写信号并输出至译码单元。
4.根据权利要求1所述的调试装置,其特征在于,还包括时间统计单元,其中:
所述译码单元还用于,生成读写完成标识并输出至所述控制单元;
时间统计单元,用于记录所述控制单元进行所述读写操作的时间或所述输入控制单元解析所述调试控制信息的时间,并与预先设置的读写时间阈值或解析时间阈值进行对比,如果超过所述读写时间阈值或解析时间阈值,将相应的读写错误或解析错误信息存储至寄存器单元;
所述寄存器单元还用于,存储所述读写错误或解析错误信息。
5.根据权利要求1所述的调试装置,其特征在于,所述外部输入的调试控制信息为:用户程序输入的调试控制指令或总线输入的调试控制信息。
6.根据权利要求1所述的调试装置,其特征在于,当所述片上存储器位于CPU内部时,所述控制单元还用于:
检测中央处理器CPU的内部寄存器的存储状态,在中央处理器CPU的内部寄存器的存储状态为空时,生成所述相应的调试读写信号;
当所述片上存储器位于二级缓存内部时,所述控制单元还用于:
检测二级缓存的内部寄存器的存储状态,在二级缓存的内部寄存器的存储状态为空时,生成所述相应的调试读写信号。
7.一种片上存储器的调试方法,其特征在于,包括:
接收并解析外部输入的调试控制信息,将所述解析后的调试控制信息存储至寄存器;
从寄存器获取所述解析后的调试控制信息,生成相应的调试读写信号;
当所述调试读写信号为真时,根据所述调试读写信号进行相应的读写操作;当所述调试读写信号为假时,根据所述外部输入的读写信号进行相应的读写操作。
8.根据权利要求7所述的调试方法,其特征在于,所述调试控制信息包括调试使能状态、读写模式、片上存储器的读写地址。
9.根据权利要求7所述的调试方法,其特征在于,所述方法还包括:
记录所述读写操作的时间或解析所述调试控制信息的时间,并与预先设置的读写时间阈值或解析时间阈值进行对比,如果超过所述读写时间阈值或解析时间阈值,将相应的读写错误或解析错误信息存储至寄存器。
10.根据权利要求7所述的调试方法,其特征在于,所述外部输入的调试控制信息为:用户程序输入的调试控制指令或总线输入的调试控制信息。
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