[发明专利]一种片上存储器的调试装置及方法有效

专利信息
申请号: 201710575820.7 申请日: 2017-07-14
公开(公告)号: CN109254883B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 杨婷;孙志文;古生霖 申请(专利权)人: 深圳市中兴微电子技术有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 姜春咸;冯建基
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器 调试 装置 方法
【说明书】:

发明公开了一种片上存储器的调试装置和方法,包括输入控制单元、寄存器单元、控制单元和译码单元,其中,输入控制单元用于接收并解析外部输入的调试控制信息,将所述解析后的调试控制信息存储至寄存器单元;控制单元用于从所述寄存器单元获取所述解析后的调试控制信息,生成相应的调试读写信号并输出至译码单元;译码单元用于接收来自控制单元的调试读写信号以及外部输入的读写信号,并进行相应的读写操作。本发明根据调试控制信息生成调试读写信号,并根据调试读写信号和外部输入的读写信号进行相应的读写操作,实现了对片上存储器灵活地访问,满足了应用对数据分析以及根据分析结果校正数据的需求,更好地支持了系统的灵活调试。

技术领域

本发明涉及集成电路的片上系统(System On a Chip,SOC)设计技术领域,尤其涉及一种片上存储器的调试装置及方法。

背景技术

近年来,随着大规模、超大规模集成电路的不断发展,嵌入式系统因其集成度高、运行速度快、功耗低、可靠性好等特点得到广泛应用。由于片上存储器比片外存储器具有更强的数据访问能力和更低的访问功耗,嵌入式要想达到最佳的性能,应用片上存储器的优势是显而易见的。

但是,随之而来的是片上存储器的调试(Debug)问题。应用往往需要读取片上存储器的特定区域或者所有区域的数据进行调试,并需要实现对错误场景的校正。传统的调试方法倾向于设置断点,保存断点的指针信息,这种方法只能定位出错的位置,不能读写。一些改进的调试方法可以读取片上存储器的数据,但是不能满足应用对数据分析以及操作的需求,不能根据获取结果校正数据,因此不能更好地支持系统灵活调试。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种片上存储器的调试装置及方法,能够实现对片上存储器灵活地访问。

为了达到本发明目的,本发明实施例的技术方案是这样实现的:

本发明实施例提供了一种片上存储器的调试装置,包括输入控制单元、寄存器单元、控制单元和译码单元,其中:

输入控制单元,用于接收并解析外部输入的调试控制信息,将所述解析后的调试控制信息存储至寄存器单元;

寄存器单元,用于存储所述解析后的调试控制信息;

控制单元,用于从所述寄存器单元获取所述解析后的调试控制信息,生成相应的调试读写信号并输出至译码单元;

译码单元,用于接收来自控制单元的调试读写信号以及外部输入的读写信号,并根据所述调试读写信号和所述外部输入的读写信号进行相应的读写操作。

进一步地,所述调试控制信息包括调试使能状态、读写模式、片上存储器和读写地址。

进一步地,所述控制单元包括:状态控制单元、读控制单元和写控制单元,其中:

状态控制单元,用于获取所述调试使能状态和所述读写模式,使能或关闭读控制单元或写控制单元,当使能读控制单元时,将所述片上存储器和所述读写地址输出至读控制单元;当使能写控制单元时,将所述片上存储器和所述读写地址输出至写控制单元;

读控制单元,用于根据所述片上存储器和所述读写地址,生成相应的调试读信号并输出至译码单元;

写控制单元,用于根据所述片上存储器和所述读写地址,生成相应的调试写信号并输出至译码单元。

进一步地,还包括时间统计单元,其中:

所述译码单元还用于,生成读写完成标识并输出至所述控制单元;

时间统计单元,用于记录所述控制单元进行所述读写操作的时间或所述输入控制单元解析所述调试控制信息的时间,并与预先设置的读写时间阈值或解析时间阈值进行对比,如果超过所述读写时间阈值或解析时间阈值,将相应的读写错误或解析错误信息存储至寄存器单元;

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