[发明专利]集成封装结构及用于制作集成封装结构的工艺有效

专利信息
申请号: 201710580134.9 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN107315229B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 华勇;田自君;雷成龙;郑帅峰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H04B10/50
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 侯懋琪;侯春乐
地址: 400060 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 集成 封装 结构 用于 制作 工艺
【说明书】:

发明公开了一种集成封装结构,所述集成封装结构由半导体发光器件、光波导调制器芯片、壳体、盖板、限位架、连接光纤和输出尾纤组成;本发明还公开了一种用于制作集成封装结构的工艺;本发明的有益技术效果是:提出了一种集成封装结构及用于制作集成封装结构的工艺,该方案可有效缩减光发射端机的尺寸,降低安装空间需求,提高器件的集成度,同时,也避免了采用熔接方式连接所带来的一系列问题。

技术领域

本发明涉及一种光电器件集成封装技术,尤其涉及一种集成封装结构及用于制作集成封装结构的工艺。

背景技术

高速光通信和微波光子信号传输处理系统中,典型的光发射端机由半导体发光器件和光波导调制器组成,半导体发光器件和光波导调制器的连接方式如图1所示,半导体发光器件的输出尾纤与光波导调制器的输入尾纤相熔接,形成光路连接;半导体发光器件主要采用大功率DFB半导体激光器,为系统提供窄线宽、低噪声、大功率输出的光波信号;光波导调制器则通过电光、热光或电致吸收等物理效应,将电信号调制加载于光信号上进行传输或处理,常用的光波导调制器有铌酸锂光波导调制器、聚合物光波导调制器及硅基光波导调制器等,相对其它类型的调制器,基于线性电光效应的铌酸锂MZ光波导强度调制器具有低损耗、大带宽、高速率及高调制线性度等优点,是现有技术中的优选方案。

存在的问题是:现有技术中,光发射端机中的半导体发光器件和光波导调制器相对独立,两者之间通过尾纤熔接的方式相互连接,应用时,两者之间的连接光纤长度较长,由于光纤不能小半径弯曲,导致安装空间占用较大;另外,在大温变或强振动冲击等恶劣环境下,尾纤熔接点损耗存在较大波动,严重时甚至会出现熔接点断开的情况,引起整个系统工作失效;再有,当尾纤为保偏光纤时,在熔接点处容易出现偏振交叉耦合,从而在系统中引入噪声,劣化系数性能;总体来看,现有的光发射端机不能很好的满足系统对性能、可靠性及集成度的要求。

发明内容

针对背景技术中的问题,本发明提出了一种集成封装结构,其结构为:所述集成封装结构由半导体发光器件、光波导调制器芯片、壳体、盖板、限位架、连接光纤和输出尾纤组成;

所述半导体发光器件由半导体发光芯片、热敏二极管、热沉和半导体制冷器组成;所述连接光纤的内端与光波导调制器芯片的输入端连接,所述输出尾纤的内端与光波导调制器芯片的输出端连接;所述壳体内设置有安装槽,安装槽中部设置有隔板,所述隔板将安装槽分隔为A槽和B槽;

所述半导体发光器件设置在A槽内;所述半导体制冷器的下底面与A槽的槽底连接;所述热沉的下底面与半导体制冷器的上表面连接;所述半导体发光芯片、热敏二极管和限位架均设置在热沉的上表面上,其中,半导体发光芯片的位置位于热敏二极管和限位架之间,限位架的位置位于半导体发光芯片和隔板之间,半导体发光芯片的发光端面朝向限位架;

所述限位架为Ω形结构,限位架和热沉上表面所围空间形成限位孔;

所述B槽的槽底上设置有安装台,所述光波导调制器芯片的下底面与安装台的上表面连接,光波导调制器芯片的输入端朝向隔板;所述隔板上设置有通过孔,所述连接光纤依次从通过孔和限位孔穿过,连接光纤的外端与半导体发光芯片邻近设置,连接光纤的外端面正对半导体发光芯片的发光端面,限位架将连接光纤卡紧在热沉上;所述壳体上设置有与输出尾纤匹配的导管,所述输出尾纤通过导管引出至壳体外;

所述盖板设置在壳体上,盖板将安装槽的开口部封闭;

所述半导体制冷器和A槽之间通过钎焊工艺连接;所述光波导调制器芯片和安装台之间通过柔性胶粘结;所述限位架通过激光焊接工艺焊接在热沉上。

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