[发明专利]阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成绝缘层、光刻辅助层膜层和正性光刻胶层膜层；

对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶层膜层进行光刻工艺以形成光刻辅助层和正性光刻胶；

对所述绝缘层进行构图；

对所述光刻辅助层和所述正性光刻胶进行紫外光照，然后去除所述光刻辅助层和所述正性光刻胶，其中，所述紫外光照用于改变所述光刻辅助层和所述绝缘层之间的粘附力。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述绝缘层为：无机绝缘层、有机绝缘层或者复合绝缘层，所述复合绝缘层包括从所述衬底基板依次形成的无机绝缘层和有机绝缘层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述光刻工艺包括对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶膜层进行曝光、显影，以去除曝光、显影部分的所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶膜层。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其中，所述光刻辅助层的材料包括：

螺吡喃类化合物

螺噁嗪类化合物

氮丙啶类化合物以及

联吡啶类化合物中的至少之一，

其中R₁、R₃为丙基、丁基、戊基、己基、苯基或者醚链；R₂、R₄为羧基或者羟基。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，

所述螺吡喃类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

所述螺噁嗪类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

所述氮丙啶类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

所述联吡啶类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

6.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述光刻辅助层的材料包括：N-丁基-6-羟基螺吡喃或者N-丁基-5’-羧基-5,7-二甲氧基螺苯并噁嗪

7.根据权利要求4所述的制备方法，其中，采用蒸镀工艺形成所述光刻辅助层。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其中，对所述绝缘层进行构图包括采用等离子体干刻工艺在所述绝缘层中形成过孔结构。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，形成所述等离子体的气体包括下述组合气体四氟化碳和氧气、四氟化碳和氮气、六氟化硫和氧气以及六氟化硫和氮气中的任意一种或多种的组合。

10.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述有机绝缘层的材料为质量百分含量为10％～20％的亚克力树脂、1％～5％不饱和单体分子、0.1％～1％的光引发剂、0.1％～1％的添加剂以及75％～90％的有机溶剂形成的混合物。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其中，对所述光刻辅助层和所述正性光刻胶进行紫外光照的光强度为1～10mW/cm²。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其中，采用剥离液去除所述光刻辅助层和所述正性光刻胶，所述剥离液包括质量百分含量为10％～30％的2-羟基乙胺(MEA)、40％～70％的二乙二醇单丁醚以及10％～40％的二甲亚砜(DMSO)。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述正性光刻胶为质量百分含量为5％～30％的酚醛树脂、2％～5％的重氮萘醌类光敏剂、0.1％～1％的添加剂以及65％～80％的有机溶剂形成的混合物。