[发明专利]阵列基板的制备方法

说明书

一种阵列基板的制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成绝缘层、光刻辅助层膜层和正性光刻胶层膜层；对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶层膜层进行光刻工艺以形成光刻辅助层和正性光刻胶；对所述绝缘层进行构图；对所述光刻辅助层和所述正性光刻胶进行紫外光照，然后去除所述光刻辅助层和所述正性光刻胶。该方法通过光刻辅助层以防止光刻胶残留，这样提高了阵列基板的良率与基于该阵列基板的LCD及OLED等显示器件的显示质量。

技术领域

本公开的实施例涉及一种阵列基板的制备方法。

背景技术

在液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等器件的制作过程中，例如黑矩阵、像素电极以及发光层等部件一般会采用构图工艺制备。该构图工艺包括涂胶、曝光、显影和刻蚀等步骤。显影工艺主要用于去除曝光后的基板上的光刻胶，预先形成所需图形以便进行下一步的刻蚀工艺。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种阵列基板的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成绝缘层、光刻辅助层膜层和正性光刻胶层膜层；对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶层膜层进行光刻工艺以形成光刻辅助层和正性光刻胶；对所述绝缘层进行构图；对所述光刻辅助层和所述正性光刻胶进行紫外光照，然后去除所述光刻辅助层和所述正性光刻胶。

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，所述绝缘层为：无机绝缘层、有机绝缘层或者复合绝缘层，所述复合绝缘层包括从所述衬底基板依次形成的无机绝缘层和有机绝缘层。

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，所述光刻工艺包括对所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶膜层进行曝光、显影，以去除曝光、显影部分的所述光刻辅助层膜层和所述正性光刻胶膜层。

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，所述光刻辅助层的材料包括：

螺吡喃类化合物

螺噁嗪类化合物

氮丙啶类化合物以及

联吡啶类化合物中的至少之一，

其中R₁、R₃为丙基、丁基、戊基、己基、苯基或者醚链；R₂、R₄为羧基或者羟基。

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，所述螺吡喃类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

所述螺噁嗪类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

所述氮丙啶类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

所述联吡啶类化合物在紫外光的作用下进行如下反应以减小所述光刻辅助层与所述绝缘层之间的粘附力：

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，所述光刻辅助层的材料包括：N-丁基-6-羟基螺吡喃或者N-丁基-5’-羧基-5,7-二甲氧基螺苯并噁嗪

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，采用蒸镀工艺形成所述光刻辅助层。

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，对所述绝缘层进行构图包括采用等离子体干刻工艺在所述绝缘层中形成过孔结构。

例如，在本公开的实施例提供的制备方法中，形成所述等离子体的气体包括下述组合气体四氟化碳和氧气、四氟化碳和氮气、六氟化硫和氧气、六氟化硫和氮气中的任意一种或多种的组合。