[发明专利]应用于多结太阳能电池的复合DBR结构及其制备方法

权利要求书

1.一种应用于多结太阳能电池的复合DBR结构，其特征在于：包括按层状结构依次叠加的3～15层AlAs/Al_xO_y/AlGaInAs组合层和5～25层AlInP/AlGaInP组合层，所述AlAs/Al_xO_y/AlGaInAs组合层和AlInP/AlGaInP组合层的层数总和不超过35层，且该AlAs/Al_xO_y/AlGaInAs组合层中的x=1,2,3,4…，y=1,2,3,4…；所述AlInP/AlGaInP组合层是由层状叠加的AlInP层和AlGaInP层构成，所述AlAs/Al_xO_y/AlGaInAs组合层是由层状叠加的AlAs/Al_xO_y组合层和AlGaInAs层构成，其中，所述AlAs/Al_xO_y组合层中的Al_xO_y是由一部分AlAs经过高温湿法氧化而成，温度是50～300℃，AlAs的氧化总深度不超过电池芯片长度的2/3，所述深度为电池芯片长度方向，且生成的Al_xO_y折射率比余下的AlAs低，从而能拓宽DBR的反射光子范围。

2.根据权利要求1所述的一种应用于多结太阳能电池的复合DBR结构，其特征在于：所述AlInP层、AlGaInP层、AlAs/Al_xO_y组合层、AlGaInAs层的厚度设计遵循公式：d=λ/(4n)，式中，d为厚度，λ为预计反射波段的中心反射波长，n为对应材料的折射率，其中，AlAs/Al_xO_y组合层选用Al_xO_y的折射率。

3.一种权利要求1所述应用于多结太阳能电池的复合DBR结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）采用金属有机物化学气相沉积技术，在外延生长过程中进行沉积：按层状结构依次叠加3～15层AlAs/AlGaInAs组合层和5～25层AlInP/AlGaInP组合层，得到所需的样品，其中，所述AlAs/AlGaInAs组合层是由层状叠加的AlAs层和AlGaInAs层构成；

2）将样品放置在反应舟内；

3）将反应舟置放在密闭腔室，腔室压力恒定，设置温度处于50～300℃范围内；

4）以氮气为载气，将载有水蒸气的混合气通入腔室，并记录氧化时间，其中在氧化的过程当中，AlAs层的部分结构被氧化，生成Al_xO_y和AsH₃有毒气体，即所述AlAs层最终会被氧化成所需的AlAs/ Al_xO_y组合层，且AlAs的氧化总深度不超过电池芯片长度的2/3；

5）将AsH₃有毒气体排出，并进行妥善处理。