[发明专利]溅射环件用凸结体滚花方法

说明书

一种溅射环件用凸结体滚花方法，包括：提供凸结体；对所述凸结体的表面进行滚花。相较于现有技术中的喷砂处理，滚花操作能够使所述凸结体表面获得更高的粗糙度，增强凸结体表面吸附颗粒物的能力，避免发生颗粒物剥落现象。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种溅射环件用凸结体滚花方法。

背景技术

溅射环件在磁控溅射中，可产生电磁场，能够对溅射出的靶材原子的运动进行约束，另外溅射环件还可以吸附溅射过程中出现的颗粒物。溅射环件由环体和凸结体构成，环体通过凸结体连接于溅射基台，凸结体主要起到固定和引入电流的作用。在溅射过程中，溅射环件吸附的颗粒物主要分布在环体表面，但在凸结体表面也会吸附有部分颗粒物。凸结体的表面一般采用喷砂处理，喷砂导致凸结体表面的粗糙度有限，从而造成凸结体表面吸附颗粒物的能力有限，容易发生颗粒物剥落现象，颗粒物剥落不仅会影响溅射环境，而且一旦掉落在溅射表面上，容易导致产品产生缺陷，甚至产品报废。

发明内容

本发明解决的问题是采用喷砂处理的凸结体表面粗糙度有限，从而造成凸结体表面吸附颗粒物的能力有限，容易发生颗粒物剥落现象。

为解决上述问题，本发明提供一种溅射环件用凸结体滚花方法，包括：提供凸结体；对所述凸结体的表面进行滚花。

可选的，所述凸结体呈圆柱状。

可选的，所述溅射环件用凸结体滚花方法还包括：提供台阶，所述台阶为圆柱状或棱柱状，所述台阶的一底面与所述凸结体的一底面固定连接。

可选的，所述固定连接方式采用一体冲压成型。

可选的，所述台阶的中心轴线与所述凸结体的中心轴线重合。

可选的，所述台阶的底面面积等于或大于所述凸结体的底面面积。

可选的，所述溅射环件用凸结体滚花方法还包括：提供车床，所述车床具有卡盘和滚花刀。

可选的，滚花过程中，所述卡盘夹持所述台阶，并带动所述台阶及所述凸结体旋转；同时，所述滚花刀强力挤压所述凸结体的表面，并沿所述凸结体高度方向移动，从而形成滚花花纹。

可选的，所述台阶的高度等于或大于所述凸结体的高度。

可选的，滚花结束后，切削所述台阶。

可选的，切削所述台阶至高度为所述凸结体高度的4～6％。

可选的，采用电火花线切割方法切削所述台阶。

可选的，所述滚花刀为双轮滚花刀，所述滚花花纹为凸菱形花纹。

可选的，所述凸菱形花纹的TPI值在25以上。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

对所述凸结体的表面进行滚花，相较于现有技术中的喷砂处理，滚花操作能够使所述凸结体表面获得更高的粗糙度，增强凸结体表面吸附颗粒物的能力，避免发生颗粒物剥落现象。

进一步，所述台阶的高度等于或大于所述凸结体的高度，因此所述卡盘能够较为牢稳的夹持住所述台阶，防止所述台阶的晃动会影响到所述凸结体表面的滚花效果，造成花纹深浅差别较大。

进一步，滚花结束后，切削所述台阶，一方面，避免所述台阶表面有颗粒物附着；另一方面保留所述台阶以便将所述凸结体与环体焊接在一起。

附图说明

图1是本发明实施例公开的凸结体及台阶的结构示意图；

图2是本发明实施例公开的双轮滚花刀的结构示意图；

图3是本发明实施例公开的滚花操作的示意图；