[发明专利]用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法有效
申请号: | 201710594433.8 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN107658266B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李建兴;马哈德瓦尔·纳塔拉恩;曼约纳塔·普拉布 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 包含 触发 电压 调式 晶体管 esd 保护 电路 方法 | ||
1.一种制作集成电路装置的方法,该方法包含:
提供包括相邻第一类型井区的衬底,在该衬底上方,各对第一类型井区由第二类型井区所分开;
提供位在各第一类型井区与第二类型井区中的一或多个接面区,各接面区属于第一类型或第二类型;
形成彼此相隔、垂直于第一类型接面区与第二类型接面区并位在其上方的鳍片;以及
通过在该第一类型井区中的该第一类型接面区和第二类型接面区与该衬底之间形成电连接来形成接面类型装置,
其中该第一类型井区中的第一级接面类型装置包括堆叠的该第一类型接面区与第二类型接面区,以及
其中该第一级接面类型装置相邻于含有该第一类型接面区与第二类型接面区的第二类型井区。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
该第一类型井区属于n型,并且包括p型接面区与n型接面区。
3.如权利要求1所述的方法,其中:
该第二类型井区属于p型,并且包括p型接面区或p型接面区与n型接面区。
4.如权利要求1所述的方法,其中:
该衬底属于p型,而该接面类型装置包括pnp或npn类型双极晶体管。
5.如权利要求1所述的方法,其中:
该接面类型装置包括pn类型二极管。
6.如权利要求1所述的方法,包含:
连接该第二类型井区中的该接面区至电接地。
7.如权利要求1所述的方法,包含:
形成使该第一类型井区与第二类型井区分开的隔离沟槽区域。
8.如权利要求1所述的方法,其中:
相邻该第一级接面类型装置的第二类型井区包括多个第二类型接面区。
9.如权利要求1所述的方法,包含:
基于目标触发电压来设定该第一类型接面区与第二类型接面区之间以及诸相邻第二类型接面区之间的间距。
10.一种集成电路装置,包含:
包括相邻第一类型井区的衬底,在该衬底上方,各对第一类型井区由第二类型井区所分开;
位在各第一类型井区与第二类型井区中的一或多个接面区,各接面区属于第一类型或第二类型;
彼此相隔、垂直于第一类型接面区与第二类型接面区并位在其上方的鳍片;以及
通过在该第一类型井区中的该第一类型接面区和第二类型接面区与该衬底之间的电连接所形成的接面类型装置,
其中该第一类型井区中的第一级接面类型装置包括堆叠的该第一类型接面区与第二类型接面区,以及
其中该第一级接面类型装置相邻于含有该第一类型接面区与第二类型接面区的第二类型井区。
11.如权利要求10所述的集成电路装置,其中:
该第一类型井区属于n型,并且包括p型接面区与n型接面区。
12.如权利要求10所述的集成电路装置,其中:
该第二类型井区属于p型,并且包括p型接面区或p型接面区与n型接面区。
13.如权利要求10所述的集成电路装置,其中:
该衬底属于p型,而该接面类型装置包括pnp或npn类型双极晶体管。
14.如权利要求10所述的集成电路装置,其中:
该接面类型装置包括pn类型二极管。
15.如权利要求10所述的集成电路装置,包含:
该第二类型井区中连至电接地的接面区之间的连接。
16.如权利要求10所述的集成电路装置,其中:
相邻该第一级接面类型装置的第二类型井区包括多个第二类型接面区。
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