[发明专利]用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法

说明书

本发明涉及用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法。具体实施例包括提供包括相邻第一类型井区的衬底，在该衬底上方，各对第一类型井区由第二类型井区所分开；提供位在各第一与第二类型井区中的一或多个接面区，各接面区属于第一类型或第二类型；形成彼此相隔、垂直于该第一与第二类型接面区并位在其上方的鳍片；以及通过在该第一类型井区中的该第一和第二类型接面区与该衬底之间形成电连接来形成接面类型装置，其中第一类型井区中的第一级接面类型装置包括堆叠的第一与第二类型接面区，以及其中该第一级接面类型装置是包括第一与第二类型接面区的相邻第二类型井区。

技术领域

本发明大体上关于设计及制作集成电路(IC)装置。本发明尤其适用于形成静电放电(ESD)保护电路，用于7纳米(nm)技术节点及更先进的技术节点中的鳍式场效晶体管(FinFET)IC装置。

背景技术

大体上，IC装置包括用于使可能在装置的制作、装卸、或正常使用期间出现的ESD事件所造成的高电流转向及放电的ESD保护电路。若无ESD保护电路，高电流可能会破坏IC装置中的电路。先进的IC装置可利用FinFET技术来提升组件密度，而此等组件中的元件(例如：硅鳍)可能更小，也可能对诸如操作电压、输入电流、ESD应力、制作程序等操作条件中的变异更加敏感。若无有效果的ESD保护电路，FinFET装置可能容易损坏，而且无法符合要求的ESD规格。传统的ESD电路可能缺乏效率(例如：需要的硅面积更大)、受限于固定操作电压，或可能在提供充分保护方面无效(例如：2kV人体模型ESD规格测试未通过)。

二极管触发型硅控整流器(SCR)是用于FinFET ESD保护的良好候选方案，因为其随着外施电压大于n×0.7V而接通，其中n是用于0.7V倍数(例如：3×0.7V)的系数，此外，还可随着外施电压大于触发电压(Vt1)而箝制住电压。然而，不同应用所需的Vt1通常也不同，而变更装置Vt1会牺牲装置面积。

因此，需要能够就FinFET装置形成有效率且有效果的ESD保护电路的方法以及其产生的装置。

发明内容

本发明的一态样是一种就FinFET IC装置中的ESD保护电路形成触发电压可调式叠接晶体管的方法。

本发明的另一态样是一种就FinFET IC装置具有触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路。

本发明的附加态样及其它特征将会在以下说明中提出，并且对于审查以下内容的本领域技术人员部分将会显而易见，或可经由实践本发明来学习。可如随附权利要求中特别指出的内容来实现并且获得本发明的优点。

根据本发明，一些技术功效可通过一种方法来部分达成，包括提供包括相邻第一类型井区的衬底，在该衬底上方，各对第一类型井区由第二类型井区所分开；提供位在各第一类型井区与第二类型井区中的一或多个接面区，各接面区属于第一类型或第二类型；形成彼此相隔、垂直于该第一类型接面区与第二类型接面区并位在其上方的鳍片；以及通过在该第一类型井区中的该第一类型接面区和第二类型接面区与该衬底之间形成电连接来形成接面类型装置，其中第一类型井区中的第一级接面类型装置包括堆叠的第一类型接面区与第二类型接面区，以及其中该第一级接面类型装置是包括第一类型接面区与第二类型接面区的相邻第二类型井区。

在一项态样中，该第一类型井区属于n型，并且包括p型接面区与n型接面区。

在另一态样中，该第二类型井区属于p型，并且包括p型接面区或p型接面区与n型接面区。

在进一步态样中，该衬底属于p型，而该接面类型装置包括pnp或npn类型双极晶体管。

在一附加态样中，该接面类型装置包括pn类型二极管。

一项态样包括连接该第二类型井区中的该接面区至电接地。

另一态样包括形成使该第一类型井区与第二类型井区分开的隔离沟槽区域。