[发明专利]用于形成细间距特征的光刻图案

权利要求书

1.一种形成互连层级的方法，其特征在于，该方法包括：

形成一硬掩膜层于一介电层上；

形成一第一牺牲层于该硬掩膜层上；

形成一第一开口与一第二开口于该第一牺牲层中，并延伸通过该第一牺牲层至该硬掩膜层；

形成一第二牺牲层于该第一牺牲层上；

形成一第一抗蚀层于该第二牺牲层上；以及

形成延伸通过该第一抗蚀层的一第一开口，该第一抗蚀层的该第一开口横向位于该第一牺牲层中的该第一开口以及该第一牺牲层中的该第二开口之间，

其中，该第一抗蚀层由对该硬掩膜层具有可移除选择性的一金属氧化物抗蚀材料所组成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

形成一第二抗蚀层于该第一抗蚀层上；以及

形成延伸通过该第二抗蚀层的一开口，该第二抗蚀层的该开口横向位于该第一牺牲层中的该第一开口与该第一抗蚀层中的该第一开口之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该第二抗蚀层由金属氧化物抗蚀材料所组成。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

使该第二抗蚀层中的该开口延伸通过该第一抗蚀层而形成该第一抗蚀层中的一第二开口。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该第二抗蚀层中的该第二开口延伸通过该第一抗蚀层包括：

移除该第二抗蚀层，

其中，当该第二抗蚀层被移除时，该第二开口形成于该第一抗蚀层中。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

于形成该开口在该第二抗蚀层中之前，形成位于该第一抗蚀层以及该第二抗蚀层之间的一第三牺牲层，该第三牺牲层并包括填充该第一抗蚀层中的该第一开口的一部分；以及

于形成该第二开口在该第一抗蚀层中之后，移除该第二抗蚀层，

其中，当该第二抗蚀层被移除时，该第二抗蚀层中的该开口延伸通过该第一抗蚀层，且该第二抗蚀层对该第三牺牲层具有可移除选择性。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该第一开口以及该第二开口于该第一牺牲层中并延伸至该硬掩膜层包括：

暴露该第一牺牲层于通过一光掩模投射的一曝光源的一辐射图案中；以及

于曝光之后，使用一化学显影剂进行显影以形成该第一开口以及该第二开口于该第一牺牲层中。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一牺牲层由该金属氧化物抗蚀材料所组成。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

该第二牺牲层位于该第一牺牲层以及该第一抗蚀层之间，该第二牺牲层并具有分别填充该第一牺牲层中该第一开口以及该第一牺牲层中该第二开口的部分，

其中，该第二牺牲层由对该第一抗蚀层以及该第一牺牲层具有可移除选择性的一介电材料所组成。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

使该第一抗蚀层中的该第一开口延伸通过该第二牺牲层以形成一第三开口于该第一牺牲层中；以及

于形成该第三开口在该第一牺牲层中之后，移除该第一抗蚀层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

于移除该第一抗蚀层之后，移除该第二牺牲层，并从该第一牺牲层中的该第一开口与该第一牺牲层中的该第二开口移除该第二牺牲层的该部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

使该第一牺牲层中的该第一开口、该第二开口以及该第三开口同时延伸通过该硬掩膜层而形成多个开口于该硬掩膜层中。