[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第二区和分别位于第二区两侧的第一区，所述第一区与第二区连接，所述基底上具有由第二区延伸至两侧第一区的鳍部结构，所述鳍部结构包括至少一个鳍部；

在所述鳍部结构两侧的第一区基底上形成伪鳍部，所述伪鳍部与所述鳍部沿垂直于鳍部的延伸方向平行排列；

在第二区基底上形成横跨鳍部结构的栅极结构；

在所述栅极结构两侧的鳍部结构和伪鳍部内分别形成源漏掺杂区，位于鳍部结构内的所述源漏掺杂区与位于伪鳍部内的所述源漏掺杂区相连；

在所述基底和源漏掺杂区上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层；

在所述介质层内形成接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏掺杂区的顶部表面和侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪鳍部的形成步骤包括：在所述鳍部结构两侧的基底上形成初始伪鳍部，所述初始伪鳍部沿垂直于鳍部的延伸方向上与鳍部平行排列；去除所述第二区基底上的初始伪鳍部，在所述第一区基底上形成所述伪鳍部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除第二区基底上的初始伪鳍部的工艺包括：各向异性干法刻蚀工艺；所述各向异性干法刻蚀工艺的参数包括：氧气的流量为50标准毫升/分钟～～300标准毫升/分钟，CH₃F的流量为100标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，氦气的流量为30标准毫升/分钟～200标准毫升/分钟，温度为25摄氏度～80摄氏度，时间为5秒～100秒。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于鳍部的延伸方向上，伪鳍部到鳍部结构的最小距离为：25纳米～100纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于鳍部的延伸方向上，伪鳍部的尺寸为：5纳米～15纳米。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于鳍部的延伸方向上，所述鳍部的尺寸为5纳米～15纳米。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部的个数为：1个～40个。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部的个数大于1个时，两个以上的鳍部沿垂直于鳍部的延伸方向上平行排列；相邻鳍部之间的间距为：20纳米～50纳米。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂区的形成步骤包括：在所述栅极结构两侧的伪鳍部和鳍部结构分别内形成开口；在所述开口内形成外延层；在所述外延层内掺入掺杂离子，形成源漏掺杂区。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于鳍部的延伸方向上，所述开口的尺寸为80纳米～1000纳米。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形成步骤包括：在所述基底上形成图形层，所述图形层的顶部表面暴露出伪鳍部和鳍部结构的顶部表面；以所述图形层为掩膜，刻蚀所述伪鳍部和鳍部结构，形成所述开口；刻蚀所述伪鳍部和鳍部结构的工艺包括：各向异性干法刻蚀工艺；所述各向异性干法刻蚀工艺的参数包括：CH₄的流量为8标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，CHF₃的流量为30标准毫升/分钟～200标准毫升/分钟，射频功率为100瓦～1300瓦，偏置电压为80伏～500伏，腔室压强为10毫托～2000毫托，时间为4秒～500秒。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔之后，还包括：在所述接触孔底部形成金属硅化物层；在所述金属硅化物层上形成导电插塞。