[发明专利]一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺

权利要求书

1.一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）制备坯体，2）施底釉，3）喷墨打印大理石图案面釉，4）烧制，5）柔抛；

所述的制备坯体步骤中所用坯体料的重量份组成为：长石30~35份，晶彩熔块3~5份，叶腊石10~15份，白泥25~35份，高铝石15~20份；

所述面釉所用釉料的重量份组成为：长石25~30份，晶彩熔块 15~20份，刚玉3~5份，高岭土 7~10份，氧化锌8~10份，硅灰石 8~11份，氧化钡1~3份，石英 10~15份。

2.根据权利要求1所述的一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：所述的坯体料的重量份组成为：长石 32~33份，晶彩熔块4份，叶腊石 12~13份，白泥28~32份，高铝石17~19份。

3. 根据权利要求1所述的一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：所述的釉料的重量份组成为：长石27~28份，晶彩熔块 17~18份，刚玉4份，高岭土 8份，氧化锌9份，硅灰石 9~10份，氧化钡2份，石英 12~14份。

4. 根据权利要求1~3任一项所述的一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：所述的晶彩熔块的质量百分比组成为氧化硅50%~52%，氧化铝 19%~21%，氧化钾1.5%~2.5%，氧化钠0.5%~1.5%，氧化钙12%~14%，氧化镁3.5%~4.5%，氧化氟2.7%~3.3%，氧化磷0.8%~1.2%，氧化硼4%~6%。

5. 根据权利要求1~3任一项所述的一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：所述的晶彩熔块的质量百分比组成为：氧化硅51%，氧化铝 20%，氧化钾2%，氧化钠1%，氧化钙13%，氧化镁4%，氧化氟3%，氧化磷1%，氧化硼5%。

6.根据权利要求1所述的一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：所述的柔抛步骤依次采用柔抛工艺和靠形抛光工艺，柔抛工艺所用的磨料的细度为3000~5000目，切削厚度小于0.1mm。

7.根据权利要求6所述的一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：所述的磨料的细度为4000~4500目。

8. 根据权利要求1所述的一种防污柔光大理石瓷砖的制备工艺，其特征在于：所述的柔抛工艺的最大切削厚度为0. 01 mm ~0.03mm。