[发明专利]半导体封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710598041.9 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107689365B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 姜芸炳;孔永哲;全炫水;崔敬世 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H10B80/00 分类号: H10B80/00;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周祺
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

基板;

在所述基板上的存储器芯片;

在所述基板上的模制层,所述模制层覆盖所述存储器芯片的侧表面并且不覆盖所述存储器芯片的底表面,所述模制层的热导率比所述基板和所述存储器芯片的热导率低;

在所述存储器芯片和所述模制层上的图像传感器芯片;以及

在所述存储器芯片和所述图像传感器芯片之间的连接端子,所述连接端子将所述存储器芯片电连接到所述图像传感器芯片,其中,

所述图像传感器芯片包括:

逻辑芯片;

感测芯片,在所述逻辑芯片的上表面上;以及

其中所述逻辑芯片包括:

第一基底层;

第一通孔,穿透所述第一基底层;

第一绝缘层,在所述第一基底层和所述感测芯片之间;

第一集成电路,在所述第一基底层的上表面上并与所述第一通孔间隔开,

第一布线图案,在所述第一绝缘层中,并电连接到所述第一集成电路和所述第一通孔中的至少一个,以及

第一接合焊盘,在所述第一绝缘层中并且在所述第一绝缘层的上表面上暴露,所述第一接合焊盘电连接到所述第一布线图案,其中所述感测芯片包括:

第二基底层;

第二通孔,穿透所述第二基底层;

第二绝缘层,在所述第二基底层和所述逻辑芯片之间;

第二集成电路,在所述第二基底层的下表面上并与所述第二通孔间隔开,

第二布线图案,在所述第二绝缘层中,并电连接到所述第二集成电路和所述第二通孔中的至少一个,以及

第二接合焊盘,在所述第二绝缘层中并且在所述第二绝缘层的下表面上暴露,所述第二接合焊盘电连接到所述第二布线图案,其中所述第二接合焊盘直接接合到所述第一接合焊盘,并且

其中所述第二绝缘层直接接合到所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,还包括:

在所述图像传感器芯片和所述连接端子之间的再分布图案,所述再分布图案在所述模制层和所述图像传感器芯片之间延伸,所述再分布图案电连接到所述连接端子。

3.根据权利要求1所述的半导体封装,还包括:

在所述存储器芯片和所述图像传感器芯片之间的虚设端子。

4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,当在平面图中观看时,所述虚设端子与所述图像传感器芯片的像素重叠。

5.根据权利要求3所述的半导体封装,还包括:

在所述图像传感器芯片的底表面上的再分布层,所述再分布层包括金属图案,所述金属图案与所述图像传感器芯片物理接触,所述金属图案电连接到所述虚设端子并与所述连接端子电断开。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述模制层具有与所述图像传感器芯片的侧表面共面的侧表面。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,还包括:

在所述图像传感器芯片的顶表面上的连接焊盘;以及

将所述连接焊盘电连接到所述基板的接合线。

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