[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

可以提供一种半导体封装，其包括基板，基板上的存储器芯片，基板上的覆盖存储器芯片的侧表面的模制层，存储器芯片上的图像传感器芯片和模制层，以及连接端子，在存储器芯片和图像传感器芯片之间并将存储器芯片电连接到图像传感器芯片。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年8月4日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请10-2016-0099532的优先权，其整体内容通过引用并入于此。

技术领域

本公开涉及半导体封装和/或其制造方法，具体地，涉及包括CMOS传感器的堆叠型半导体封装。

背景技术

图像传感器是被配置为将包含一维或二维图像信息的光数据转换为电信号的电子设备。图像传感器通常分类为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦接器件(CCD)图像传感器。图像传感器可用于相机、摄像机、多媒体个人计算机和/或安保相机，并且图像传感器的需求正在迅速增加。

在半导体工业中，已经开发了各种封装技术，以满足对较大容量、较薄厚度以及较小尺寸的半导体器件和/或电子产品的需求。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有高信号传输速度和降低的图像失真性质的半导体封装。

本发明构思的一些示例实施例提供了以高产量制造半导体封装的方法。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体封装可以包括：基板；基板上的存储器芯片；基板上的模制层，所述模制层覆盖存储器芯片的侧表面；存储器芯片和模制层上的图像传感器芯片；以及设置在存储器芯片和图像传感器芯片之间的连接端子，所述连接端子将所述存储器芯片电连接到所述图像传感器芯片。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体封装可以包括：图像传感器芯片，其具有彼此面对的第一表面和第二表面，并且包括电路层和导电部分，所述导电部分电连接到电路层，并且所述导电部分在电路层和图像传感器芯片的第一表面之间；图像传感器芯片的第一表面上的存储器芯片，所述存储器芯片的宽度小于图像传感器芯片的宽度；存储器芯片的表面上的芯片焊盘，所述芯片焊盘电连接到所述导电部分；以及在图像传感器芯片的第一表面上的模制层，所述模制层覆盖存储器芯片的侧表面。

根据本发明构思的示例实施例，制造半导体封装的方法可以包括：准备具有彼此面对的第一表面和第二表面的图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括位于所述图像传感器芯片的所述第二表面上的像素区域；将存储器芯片安装在图像传感器芯片的第一表面上，使得存储器芯片通过形成在图像传感器芯片的第一表面和存储器芯片之间的连接端子而电连接到图像传感器芯片；以及在图像传感器芯片的第一表面上形成模制层以覆盖存储器芯片的侧表面并形成芯片堆叠。

根据本发明构思的示例实施例，半导体封装可以包括：基板；基板上的存储器芯片；存储器芯片上的图像传感器芯片；以及存储器芯片和图像传感器芯片之间的连接端子，所述连接端子将存储器芯片电连接到图像传感器芯片。图像传感器芯片的宽度可以小于存储器芯片的宽度。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体封装可以包括：基板；基板上的存储器芯片；存储器芯片上的图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括面向存储器芯片的第一表面和具有像素的第二表面；以及存储器芯片和图像传感器芯片之间的至少一个连接端子，所述连接端子将存储器芯片的电路电连接到图像传感器芯片的电路。

附图说明

根据以下结合附图进行的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示本文所述的非限制性示例实施例。

图1A是示出根据本发明构思的示例实施例的半导体封装的平面图。

图1B是沿着图1A的线IB-IB’截取的截面图。

图2A是示出根据本发明构思的示例实施例的半导体封装的截面图。