[发明专利]多位铁电性存储器装置及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器装置的方法，其包括：

在通孔的内部侧壁上形成第一铁电性材料；

移除一材料以暴露所述通孔的外部侧壁；及

在所述通孔的所述外部侧壁上形成第二铁电性材料，其中所述第二铁电性材料是与所述第一铁电性材料的类型不同的铁电性材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括以不同的厚度形成所述第一和第二铁电性材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括以相同的厚度形成所述第一和第二铁电性材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一铁电性材料的内在矫顽场不同于所述第二铁电性材料的内在矫顽场。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在所述通孔内及所述第一铁电性材料和所述第二铁电性材料之间形成导电材料；以及

在所述导电材料和所述第二铁电性材料之间形成电介质材料。

6.一种存储器装置，其包括：

第一铁电性材料，其形成于通孔的内部侧壁上；及

第二铁电性材料，其形成于所述通孔的外部侧壁上；

其中所述第一铁电性材料的类型不同于所述第二铁电性材料；以及

其中所述第一铁电性材料和所述第二铁电性材料：

由导电材料分隔开；且

具有不同的矫顽场。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一铁电性材料和所述第二铁电性材料具有相同的厚度。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一铁电性材料和所述第二铁电性材料也被电介质材料分隔开。

9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述导电材料是第一导电材料，且其中所述存储器装置进一步包括形成于所述通孔中的第二导电材料，所述第一铁电材料形成于所述第一导电材料和所述第二导电材料之间。

10.一种将数据写入到多位铁电性存储器装置的方法，其包括：

通过在第一方向上将第一偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置来产生所述多位铁电性存储器装置的第一状态；

通过在第二方向上将第二偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置来产生第二状态；

将第三偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置以产生第三状态，其中所述第三偏置电压大于所述第二偏置电压；及

将第四偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置以产生第四状态，其中所述第四偏置电压小于所述第三偏置电压。