[发明专利]多位铁电性存储器装置及其形成方法

说明书

本发明提供多位铁电性存储器装置及其形成方法。一种形成多位铁电性存储器装置的实例性方法可包含：在通孔的第一侧上形成第一铁电性材料；移除一材料以暴露所述通孔的第二侧；及在所述通孔的所述第二侧上以与所述通孔的所述第一侧相比不同的厚度形成第二铁电性材料。

分案申请的相关信息

本申请是国际申请号为PCT/US2014/062820、申请日为2014年10月29日、发明名称为“多位铁电性存储器装置及其形成方法”的PCT申请进入中国国家阶段后申请号为201480066590.6的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明大体来说涉及半导体装置及方法，且更特定来说涉及多位铁电性装置及其形成方法。

背景技术

存储器装置通常作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路而提供。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻式存储器及快闪存储器，以及其它。电阻式存储器的类型包含相变存储器、可编程导体存储器及电阻式随机存取存储器(RRAM)，以及其它。

一些类型的存储器装置可为非易失性存储器且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的宽广范围的电子应用。非易失性存储器可用于(举例来说)个人计算机、便携式存储器棒、固态驱动器(SSD)、数码相机、蜂窝式电话、例如MP3播放器的便携式音乐播放器、电影播放器及其它电子装置中。

各种电阻式存储器装置可包含以交叉点架构组织的存储器单元阵列。在此类架构中，存储器单元可包含单元堆叠，所述单元堆叠包括与选择装置(例如，例如双向阈值开关(OTS)或二极管的切换元件)串联、在一对导电线之间(例如，在存取线(例如，字线)与数据/感测线(例如，位线)之间)的存储元件(例如，相变元件)。存储器单元位于字线与位线的相交点处且可经由施加适当电压到其而“经选择”。

发明内容

一方面，本发明的实施例涉及一种用于形成存储器装置的方法，其包括：在通孔的第一侧上形成第一铁电性材料；移除一材料以暴露所述通孔的第二侧；及在所述通孔的所述第二侧上形成第二铁电性材料，其中所述第二铁电性材料是与所述第一铁电性材料的类型不同的铁电性材料。

另一方面，本发明的实施例涉及一种存储器装置，其包括：第一铁电性材料，其形成于通孔的内部侧壁上；及第二铁电性材料，其形成于所述通孔的外部侧壁上；其中所述第一铁电性材料的类型不同于所述第二铁电性材料；以及其中所述第一铁电性材料和所述第二铁电性材料由导电材料分隔开，且具有不同的矫顽场。

又一方面，本发明的实施例涉及一种将数据写入到多位铁电性存储器装置的方法，其包括：通过在第一方向上将第一偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置来产生所述多位铁电性存储器装置的第一状态；通过在第二方向上将第二偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置来产生第二状态；将第三偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置以产生第三状态，其中所述第三偏置电压大于所述第二偏置电压；及将第四偏置电压施加到所述多位铁电性存储器装置以产生第四状态，其中所述第四偏置电压小于所述第三电压。

附图说明

图1A图解说明根据本发明的若干个实施例的存储器阵列的部分的透视图。

图1B图解说明根据本发明的若干个实施例的存储器阵列的部分的示意图。

图2图解说明根据本发明的若干个实施例形成的多位铁电性装置的部分的横截面图。

图3图解说明根据本发明的若干个实施例形成的多位铁电性装置的部分的横截面图。

图4图解说明根据本发明的若干个实施例形成的多位铁电性装置的部分的横截面图。