[发明专利]一种二硫化钨薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤是：

步骤(1).取WS₂源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS₂源的石英舟放入电炉中的石英管内，石英舟放置在石英管的中间位置；

步骤(2).将基底用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处；

步骤(3).向石英舟内加入1～5ml去离子水；

步骤(4).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，混合气体中H₂的体积含量为5％，载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；

步骤(5).将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2～180min；

步骤(6).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS₂二维薄膜。

2.如权利要求1所述的一种二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述的基底为表面生长有氧化层的硅片、石英玻璃、氮化镓或蓝宝石。

3.如权利要求1所述的一种二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述的WS₂源为以下三种中的一种，WS₂固体粉末，氧化钨粉末和硫粉末，金属钨粉末和硫磺粉末。

4.如权利要求1所述的一种二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：石英管直径为1英寸。

5.如权利要求1所述的一种二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：基底尺寸为2.5～3.5cm×1.5～2.0cm。