[发明专利]一种微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201710601789.X | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107381516B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 任银拴 | 申请（专利权）人： | 黔南民族师范学院 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 张梅 |
| 地址： | 558000 贵州省黔南布依族苗族自治*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粉体 制备 反应室抽真空 清洗 稀磁半导体 阴极钨杆 合金化 阳极铝 铝粉 起弧 氮气 氩气 材料获得 磁性元素 氮气氛围 混合溶液 去离子水 真空环境 氩气氛围 反应室 浓硝酸 浓盐酸 铁磁性 烘干 放入 密封 接通 电源 澄清 室内 | ||
1.一种微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
a、将铝粉放入到反应室后密封；
b、对反应室抽真空，之后向反应室通入氩气；
c、接通反应室内的阳极铝块和阴极钨杆电源，并调整阳极铝块与阴极钨杆的距离直至接触起弧，在氩气气氛下对铝粉进行合金化；
d、合金化后，再次对反应室抽真空，之后向反应室通入氮气；
e、再次接通阳极铝块和阴极钨杆的电源，并调整阳极铝块与阴极钨杆的距离直至接触起弧，在氮气气氛下反应60～62min，得到粉末状物质，即A品；
f、将A品用体积比为3:1的浓盐酸和浓硝酸的混合溶液清洗，清洗后再用去离子水清洗，得B品；
g、将B品在59～61℃、真空环境下烘干，即得成品；
步骤c中，所述的接通反应室内的阳极铝块和阴极钨杆电源，是向反应室内的阳极铝块和阴极钨杆通48～52A的电流；
步骤e中，所述的再次接通阳极铝块和阴极钨杆电源，是再次向阳极铝块和阴极钨杆通73～78A的电流。
2.根据权利要求1所述的微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述的密封，是采用真空脂密封。
3.根据权利要求1或2所述的微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法，其特征在于，步骤c中，所述的接触起弧，是在反应室内压强为大气压强下接触起弧。
4.根据权利要求1或2所述的微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法，其特征在于，步骤c中，所述的阴极钨杆的直径为0.49～0.51cm。
5.根据权利要求1或2所述的微米球状AlN稀磁半导体粉体的制备方法，其特征在于，步骤e中，所述的接触起弧，是在反应室内压强为大气压强下接触起弧。
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