[发明专利]聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程

权利要求书

1.一种聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，包括以下步骤：

置入一被镀对象于一批次式等离子真空镀膜设备之舱体中并抽真空；

选用适合于该被镀对象之材质之至少一参数并注入与该被镀对象之材质匹配之一气体至该舱体中，并施以等离子体技术，激发抽真空之该舱体中之该气体，以产生离子和电子，该离子冲击剥蚀该被镀对象之表面；

选用适合于该被镀对象之材质之该至少一参数并注入与该被镀对象之材质匹配之一气体至该舱体中，再次对该被镀对象施以等离子体技术，并加入活性粒子进行气相沉积；

置入该被镀对象于一聚对二甲苯有机高分子真空镀膜设备之舱体中并抽真空；以及

选用适合该被镀对象之效能需求之该至少一参数并注入与该被镀对象之效能需求匹配之一聚对二甲苯有机高分子材料于一材料室，经过120～150℃汽化及650～800℃裂解区之裂解后，再进入约25～30℃之一常温沉积室内，于抽真空状态下，以气相沉积的方式形成一均匀的聚对二甲苯有机高分子薄膜于该被镀对象之表面的孔隙内。

2.如权利要求1所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中该至少一参数选自下列群组之至少其中一者：投入气体量、电浆功率及时间值。

3.如权利要求2所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中该投入气体量介于20sccm至200sccm之间。

4.如权利要求2所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中该电浆功率介于100W至5000W之间。

5.如权利要求2所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中时间值介于1分钟至30分钟之间。

6.如权利要求1所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中于该置入一被镀对象于一批次式等离子真空镀膜设备之舱体中并抽真空之步骤之前，更选择性地包括以下步骤：屏蔽一防镀材料于该被镀对象之一部分上。

7.如权利要求1所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中该聚对二甲苯有机高分子薄膜厚度为0.1μm至50μm以上。

8.如权利要求1所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中于该形成均匀的聚对二甲苯有机高分子薄膜于该被镀对象之表面的孔隙内之步骤之后，更包括以下步骤：以一洁净气体破除该常温沉积室之真空状态、泄压，并取出该被镀对象。

9.如权利要求8所述之聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，其中该洁净气体系选自下列群组之其中一者：大气、洁净干燥气体及氮气。